完整英文版 IEC 60749-13:2018 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 13:Salt atmosphere(半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第13部分:盐雾)。IEC 60749-13:2018 描述了一种盐气氛测试,用于确定半导体器件的耐腐蚀性。 这是一个加速测试,模拟严重的海岸大气对所有暴露表面的影响。 它仅适用于指定用于海洋环境的那些设备。 盐雾试验被认为是破坏性的。 此版本相对于上一版本包括以下重大技术更改: a) 与 MIL-STD-883J 方法 1009.8,盐环境(腐蚀)保持一致,包括有关试验室的调节和维护以及试样安装的信息(包括说明图)。
2021-07-24 12:02:06 1.26MB iec 60749-13 半导体 机械
完整英文版 IEC 60749-14:2003 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 14:Robustness of terminations(lead integrity)-半导体器件-机械和气候试验方法-第14部分:端接的稳健性(引线完整性)。提供各种测试,以确定当由于电路板组装错误导致引线弯曲,然后对零件进行返工以重新组装时,确定引线/封装界面与引线本身之间的完整性。 适用于所有需要用户引线成型的通孔器件和表面贴装器件。
2021-07-24 12:02:04 1.36MB iec 60749-14 半导体 稳健性
完整英文版 IEC 60749-15:2020 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 15:Resistance to soldering temperature for through-hole mounted devices (半导体器件-机械和气候试验方法-第 15 部分:通孔安装器件的焊接温度耐受性)。IEC 60749-15:2020 描述了一项测试,该测试用于确定用于通孔安装的封装固态器件是否能够承受使用波峰焊焊接引线时所承受的温度影响。为了为最具重现性的方法建立标准测试程序,使用焊锡浸渍法,因为它的条件更可控。该程序确定设备是否能够承受印刷线路板组装操作中遇到的焊接温度,而不会降低其电气特性或内部连接。该测试具有破坏性,可用于鉴定、批次验收和产品监控。热量从电路板背面的焊料热量通过引线传导到器件封装中。此程序不会在与封装体相同的电路板一侧模拟波峰焊接或回流热暴露。此版本相对于上一版本包括以下重大技术更改: - 包含新的第 3 条,术语和定义; - 阐明使用烙铁产生加热效果; - 包括使用加速老化的选项。
2021-07-24 12:02:01 668KB iec 60749-15 半导体 焊接
完整英文版 IEC 60749-16:2003 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 16:Particle impact noise detection (PINO)-半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 16 部分:粒子撞击噪声检测(PINO)。定义一种测试,旨在检测空腔器件内部是否存在松散颗粒,例如陶瓷芯片、焊线片或焊球(小球)。
2021-07-24 12:01:59 587KB iec 60749-16 半导体 粒子撞击
完整英文版 IEC 60749-17:2019 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 17: Neutron irradiation(半导体器件--机械和气候测试方法--第17部分:中子辐照)。执行 IEC 60749-17:2019 以确定半导体设备对非电离能量损失 (NIEL) 退化的敏感性。 此处描述的测试适用于集成电路和分立半导体器件,旨在用于军事和航空航天相关应用。 这是一个破坏性的测试。 此版本相对于上一版本包括以下重大技术更改: - 更新以更好地使测试方法与 MIL-STD 883J、方法 1017 保持一致,包括取消文件使用限制以及限制总电离剂量的要求; - 增加了参考书目,包括与此测试方法相关的美国 MIL 和 ASTM 标准。
2021-07-24 12:01:57 801KB iec 60749-17 半导体 中子辐照
完整英文版 BS EN IEC 60749-18:2019 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 18:Ionizing radiation (total dose) -半导体器件-机械和气候试验方法-第18部分:电离辐射(总剂量)。IEC 60749-18:2019 提供了一个测试程序,用于定义测试封装半导体集成电路和分立半导体器件对来自钴 60 (60Co) 伽马射线源的电离辐射(总剂量)效应的要求。 可以使用其他合适的辐射源。 本文件仅涉及稳态辐照,不适用于脉冲型辐照。 它适用于军事和航空航天相关应用。 这是一个破坏性的测试。 此版本相对于上一版本包括以下重大技术更改: - 更新子条款以更好地使测试方法与 MIL-STD 883J、方法 1019 保持一致,包括使用增强型低剂量率灵敏度 (ELDRS) 测试; - 增加了参考书目,其中包括与该测试方法相关的 ASTM 标准。
2021-07-24 12:01:55 1.13MB iec EN 60749-18 半导体
完整英文版 IEC 60749-19:2010 Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods - Part 19:Die shear strength(半导体器件--机械和气候测试方法--第19部分:芯片剪切强度)。IEC 60749-19:2003+A1:2010确定了用于将半导体芯片连接到封装头或其他基材的材料和程序的完整性。该测试方法一般只适用于腔体封装或作为过程监控。它不适用于芯片面积大于10mm2的情况。它也不适用于倒装芯片技术或柔性基材。这个综合版本包括第一版(2003年)和它的第1修正案(2010年)。因此,不需要在本出版物之外再订购修正案。
2021-07-24 12:01:52 840KB iec 60749-19 半导体 芯片
完整英文版 IEC 60749-20:2020 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 20:Resistance of plastic encapsulated SMDs to the combined effect of moisture and soldering heat(半导体器件-机械和气候测试方法-第20部分:塑料封装的SMD对湿气和焊接热的综合影响的抵抗力)。IEC 60749-20:2020提供了一种评估封装为塑料封装的表面贴装器件(SMD)的半导体抗焊接热的方法。该测试是破坏性的。本版与上一版相比,包括以下重大技术变化。 - 加入了IEC 60749-20:2008(第二版)的技术更正。 - 加入了新的第3条。 - 增加了解释性说明。
2021-07-24 12:01:48 3.32MB iec 60749-20 半导体 SMD
完整英文版 IEC 60749-21:2011 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 21:Solderability (半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第21部分:可焊性 )。IEC 60749-21:2011 建立了一个标准程序,用于确定使用锡铅 (SnPb) 或无铅 (Pb-free) 焊料连接到另一个表面的器件封装端子的可焊性。 该测试方法提供了通孔、轴向和表面贴装器件 (SMD) 的“浸渍和外观”可焊性测试程序以及 SMD 板安装可焊性测试的可选程序,以便模拟焊接过程 用于设备应用程序。 该测试方法还提供了老化的可选条件。 除非相关规范中另有详细说明,否则该测试被认为是破坏性的。
2021-07-24 12:01:45 2.59MB iec 60749-21 半导体 机械
完整英文版 IEC 60749-22:2002 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 22:Bond strength(半导体器件-机械和气候试验方法-第22部分:结合强度)。该测试适用于半导体器件(分立器件和集成电路),测量粘合强度或确定是否符合规定的粘合强度要求。 2003 年 8 月更正的内容已包含在此副本中。
2021-07-24 12:01:41 1.61MB iec 60749-22 半导体 结合强度