**重要提醒: 解读已更新到v2, 最后更新时间22021-7-11 161631** 此文档对于JESD标准LPDDR4做中文解读,轻松理解LPDDR4标准。 为何有此文档? > 笔者曾经在dram领域摸爬滚打数年,深深感受到spec标准文档的理解直接影响到dram知识技术的认知和层次,理解spec文档将极大提高dram水平。数年经验化成一篇解读,不要让时间浪费在不断地寻找spec标准含义的过程中,而是站在经验者之上更上一层楼! 祝每个看过此文档的人都可以为"被某国打压的dram技术"增加技术储备! 解读示例: 1 Byte Mode: 什么是Byte Mode? > 顾名思义,是字节模式。标准的LP4是x16, 即双字节,Byte Mode即是x8, 2个x8组 成标准的x16. 有人有疑惑: 为什么要搞这样的模式?标准都是x16不挺好吗? > 为高容量颗粒而做. x8只占8根数据线,可以组2颗成x16,这样就会比x16做的容 量更大。 2 CK_t和CK_c代表什么? > CK_t: CK True, 代表差分信号的正极性clock, 也就是"真"clock/主clock; CK_c: CK Complement, 代表差分clock的负极clock. 3 CKE和CK的区别: > CKE是指dram clock时钟 enable与否,注意它和上面的CK有本质区别,CKE可以 理解为是颗粒侧的时钟,但CK是controller和dram交互的时钟。 CK如果没有了,CKE没有意义。但CK如果有,CKE可有可无。 CKE拉低,颗粒进入power down模式,可以节省功耗。 4 ZQ为什么一般是240欧姆呢? > 因为一般dram都是通过并联电阻实现设置为指定的电阻值,一般工业级的电阻值 是34, 40, 60, 80, 120欧姆,取最小公倍数,即240欧姆! ......还有更多... ** 本文档不仅仅是LP4 spec标准文档,而是spec的注释解读 ** ** 翻译成中文? 当然不是翻译, 翻译放到网站上随便都可以翻译出来,此文是带着理解的解读! 深挖spec内部的原理,让您事半功倍!不要被spec卡住您的前途! ** 因为解读是注释,即文中黄色或绿色下划线的注解,试读看不到,正在想方法如何显示给大家看。 ** 行业标准: 作者有数年spec经验. ** 专业: 数年dram问题debug,spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问,可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意,可线下联系作者申请退款,作者就有这样的自信敢承诺! ** 更新: 不定期进行文档更新,保证每读一遍都有不一样的感受。 ** 再次提醒: 试读看到的是标准LP4 spec, 批注注释才是本文档的价值所在!! 千万不要以为仅仅是LP4 spec!!
2021-06-19 11:00:31 3.87MB LPDDR4 Dram JESD DDR
内存的原理和时序(SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、Rambus_DRAM
2021-06-01 15:10:05 7.14MB SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、Rambus_DRAM
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DREAM Development Software full setup of new SamVS-C V5.0xx including all libraries and documentations
2021-05-17 14:01:41 22.73MB DRAM
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瑞芯微DDR验证注意
2021-04-25 14:02:12 75KB rockchip
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DDR4 SDRAM SODIMM Design Specification, DDR4笔记本内存条jedec标准设计规范
2021-04-20 20:19:15 341KB DDR4 Sodimm jedec Dram
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本规范定义了3DS DDR4 SDRAM规格,包括特性、功能、AC和DC特性、封装和球/信号分配。本规范的目的是定义符合8 Gbit至128 Gbit的x4、x8 3DS DDR4 SDRAM器件的最低要求集。本标准是基于JESD79-4 DDR4 SDRAM规范创建的。考虑了3DS DDR4 SDRAM操作变化的每个方面。
2021-04-15 18:04:27 2.33MB JEDEC JESD79-4-1B DDR4 3DS
RAM工艺节点晶体管在功率和DRAM容量方面的缩放比例使DRAM单元对干扰或瞬态故障更加敏感。 如果按精心操纵的顺序(例如Rowhammer)施加外部应力,则此灵敏度将变得更差。 与Rowhammer相关的论文是在JEDEC之外撰写的,但是这些论文中使用的某些假设并不能很清楚或正确地解释问题,因此业内对此知识的理解还不够准确。 该出版物定义了该问题,并建议采取以下缓解措施来解决整个DRAM行业或学术界的此类担忧。
2021-04-15 18:04:21 342KB JEDEC JEP300-1 Rowhammer DRAM
恩智浦SE团队做的一个针对i.MXRT系列的SDRAM压力测试上位机工具
2021-03-25 17:03:48 2.33MB SDRAM i.MXRT memtester
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DRAM的电容器存储了电荷时,对于FET来说,形成反偏置状态,必然会发生漏电流,图1中图示了这一点。因为在如图所示的方向上存在电流,因此DRAM单元的电容器将必然进行放电。所以,需要定期将单元的状态恢复为初始状态,这称为刷新操作。            图1 DRAM单元的漏电流   通过时间过程与单元电压的关系表示的刷新操作思路如图2所示。如果放置电容器则电容器极间电压将如图中虚线那样按指数函数下降,一旦超过阈值,则存储状态将发生反相。因此,在超越阈值之前,必须定期将存储状态恢复为原始的水平,即进行刷新。执行刷新操作的方式存在若干种,这些将在后面进行叙述。 图2  刷新操作
2021-03-20 11:36:57 82KB DRAM的单元结构刷新 其它
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