常见存储器概念辨析:ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH的区别

用于博客引用。 本书写的十分成体系，详细，还有比较易懂的仓库例子。就是有点老，DDR3后面的没怎么找到，不过原理都一样了。关于内存入门，非常非常推荐的一本书。反正是我读过最系统最好的（中文）。 图片有“存储时代”水印。

分别基于Hynix公司的SRAM HY64UD16322A和DRAM HY57V281620E，介绍了采用两种不同的RAM结构，通过CPLD来设计并实现大容量FIFO的方法。

本文档详细介绍了dram的历史发展中出现的不同技术，以及技术对应的解决方案 这是最详细的介绍, 把基本DDR 到DDR5，LPDDR 到LPDDR5的所有技术都有涉及. 本文花费周期约一年，记录DDR系列和LPDDR系列重要技术的来源和内部原理， 掌握它们会对于理解dram技术有非常大的帮助. 比如: 1 prefetch和burst length的关系 2 ODT技术的阻抗匹配内幕是什么? 3 LPDDR4 LVSTL IO模型的优点 ...... ** 行业标准： 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug，spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问，可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意，可线下联系作者申请退款，作者就有这样的自信敢承诺！ 如对内容质量有疑问，可提前私信咨询。

针对PCM的模拟器 可以基于trace进行模拟 也可以进行全系统的模拟

这是一篇特别特别好的文章，详细，适合对内存一无所知的初学者。 今天，在很多人希望了解内存技术而众多媒体的文章又“力不从心”时，我们觉得有必要再次站出来以正视听，也就是说，我们这次的专题不再以内存使用为中心，更多的是纯技术性介绍，并对目前现存的主要内存技术误区进行重点纠正。 在最后要强调的是，本专题以技术为主，由于篇幅的原因，不可能从太浅的方面入手，所以仍需要有一定的技术基础作保证，而对内存感兴趣的读者则绝不容错过，这也许是您最好的纠正错误认识的机会！ 在本专题里，当讲完内存的基本操作之后，我们会给大家讲一个仓库的故事，从中相信您会更了解内存这个仓库是怎么工作的，希望您能喜欢。

内存的原理和时序(SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、Rambus_DRAM) 内存的原理和时序(SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、Rambus_DRAM) 内存的原理和时序(SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、Rambus_DRAM)

一篇很好的有关动态存储器（DRAM）的原理性文档，非常适合作为DRAM技术的入门文档。

• Ultra-low-voltage core and I/O power supplies • Frequency range – 933–10 MHz (data rate range: 1866–20 Mb/s/pin) • 8n prefetch DDR architecture • 8 internal banks for concurrent operation • Multiplexed, double data rate, command/address inputs; commands entered on each CK_t/CK_c edge • Bidirectional/differential data strobe per byte of data (DQS_t/DQS_c) • Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL) • Burst length: 8 • Per-bank refresh for concurrent operation • Temperature-compensated self refresh (TCSR) • Partial-array self refresh (PASR) • Deep power-down mode (DPD) • Selectable output drive strength (DS) • Clock-stop capability • On-die termination (ODT) • RoHS-compliant, “green” packaging