RAM工艺节点晶体管在功率和DRAM容量方面的缩放比例使DRAM单元对干扰或瞬态故障更加敏感。 如果按精心操纵的顺序（例如Rowhammer）施加外部应力，则此灵敏度将变得更差。 与Rowhammer相关的论文是在JEDEC之外撰写的，但是这些论文中使用的某些假设并不能很清楚或正确地解释问题，因此业内对此知识的理解还不够准确。 该出版物定义了该问题，并建议采取以下缓解措施来解决整个DRAM行业或学术界的此类担忧。
2021-04-15 18:04:21
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