完整英文版 IEC 60749-23：2011 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23：High temperature operating life（半导体器件-机械和气候试验方法-第23部分：高温工作寿命）。IEC 60749-23:2004+A1:2011 用于确定偏置条件和温度随时间推移对固态器件的影响。 它以加速方式模拟设备运行条件，主要用于设备验证和可靠性监控。 一种使用短时间的高温偏置寿命形式，通常称为“老化”，可用于筛查与婴儿死亡率相关的故障。 老化的详细使用和应用不在本标准的范围内。 本合并版由第一版（2004 年）及其修订版 1（2011 年）组成。 因此，除本出版物外，无需订购修改。

完整英文版 IEC 60749-24：2004 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 24：Accelerated moisture resistance - Unbiased HAST（半导体器件--机械和气候测试方法--第24部分：加速耐湿性--无偏差HAST）。无偏差的高度加速应力测试是为了评估非热包装固态设备在潮湿环境中的可靠性。它采用非冷凝条件下的温度和湿度来加速水分通过外部保护材料或沿着外部保护材料和穿过它的金属导体之间的界面渗透。

主要包括半导体器件失效分析，表面失效机理，体内失效机理，核辐射失效及抗核加固等内容。

完整英文电子版 IEC 60749-43：2017 Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Part 43：Guidelines for IC reliability qualification plans（半导体器件 – 机械和气候测试方法 – 第 43 部分：IC 可靠性鉴定计划指南）。IEC 60749-43:2017 给出了半导体集成电路产品 (IC) 可靠性鉴定计划的指南。 本文档不适用于军事和空间相关应用。

完整英文电子版 IEC 60749-44：2016 Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Part 44：Neutron beam irradiated single event effect (SEE) test method for semiconductor devices （半导体器件 – 机械和气候测试方法 – 第 44 部分：半导体器件的中子束辐照单事件效应 (SEE) 测试方法）。IEC 60749-44:2016 建立了测量高密度集成电路半导体器件上的单事件效应 (SEE) 的程序，包括具有存储器的半导体器件在受到宇宙射线产生的大气中子辐射时的数据保留能力。 当设备被已知通量的中子束照射时，测量单事件效应灵敏度。 这种测试方法可以应用于任何类型的集成电路。

完整英文版 IEC 60749-2：2002 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 2：Low air pressure （半导体器件-机械和气候试验方法-第2部分：低气压）。涵盖对半导体器件的低气压测试。 该试验主要用于确定零部件和材料在减压下避免由于空气和其他绝缘材料的介电强度降低而导致电压击穿故障的能力，仅适用于工作电压超过 1 000 V 的设备。 本试验 适用于所有采用腔型封装的半导体器件。 该测试仅适用于军事和空间相关应用。 2003 年 8 月更正的内容已包含在此副本中。

完整英文版 IEC 60749-3：2017 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 3：External visual examination（半导体器件-机械和气候试验方法-第3部分：外观检查）。IEC 60749-3:2017 用于验证半导体器件的材料、设计、构造、标记和工艺是否符合适用的采购文件。 外观检查是一种无损检测，适用于所有包装类型。 该测试对于鉴定、过程监控或批次验收很有用。 此版本相对于上一版本包括以下重大技术更改： a) 提及ESD保护的需要； b) 包含有关锡须现象的信息； c) 包含可选的报告表/检查表。

完整英文版 IEC 60749-6：2017 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 6：Storage at high temperature （半导体器件-机械和气候试验方法-第6部分：高温储存）。IEC 60749-6:2017 用于测试和确定在不施加电应力的情况下在高温下存储对所有固态电子设备的影响。 该测试通常用于确定在存储条件下时间和温度对热激活故障方法和固态电子设备的故障时间的影响，包括非易失性存储设备（数据保留故障机制）。 该测试被认为是非破坏性的，但最好用于设备鉴定。 如果此类设备用于交付，则需要评估这种高度加速的压力测试的影响。 热激活失效机制使用加速的 Arrhenius 方程建模，有关选择测试温度和持续时间的指南可在 IEC 60749-43 中找到。

完整英文版 IEC 60749-9：2017 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 9：Permanence of marking（半导体器件-机械和气候试验方法-第9部分：标记的持久性）。IEC 60749-9:2017 用于确定固态半导体器件上的标记在施加和去除标签或使用溶剂和清洁溶液时，在去除印刷电路上的助焊剂残留物过程中常用的标记是否仍然清晰可辨 板制造过程。此测试适用于所有包装类型。 它适用于资格和/或过程监控测试。 该测试被认为是非破坏性的。 电气或机械剔除可用于此测试的目的。

完整英文版 IEC 60749-10：2002 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 10：Mechanical shock（半导体器件-机械和气候试验方法-第10部分：机械冲击）。描述了一种冲击试验，旨在确定电子设备中部件的适用性，这些电子设备可能会因突然施加的力或粗暴处理、运输或现场操作产生的运动突然变化而受到中等程度的剧烈冲击。 这种类型的冲击可能会干扰操作特性，特别是如果冲击脉冲是重复的。 这是一个破坏性的测试。 它通常适用于空腔型封装。 2003 年 8 月更正的内容已包含在此副本中。