完整英文版 IEC 60749-10：2002 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 10：Mechanical shock（半导体器件-机械和气候试验方法-第10部分：机械冲击）。描述了一种冲击试验，旨在确定电子设备中部件的适用性，这些电子设备可能会因突然施加的力或粗暴处理、运输或现场操作产生的运动突然变化而受到中等程度的剧烈冲击。 这种类型的冲击可能会干扰操作特性，特别是如果冲击脉冲是重复的。 这是一个破坏性的测试。 它通常适用于空腔型封装。 2003 年 8 月更正的内容已包含在此副本中。

目前所有dsPIC30F 器件都拥有一个具备自动波特率检 测能力的UART 外设。UART 接收引脚（RX 引脚）上 的信号能在内部传送至一个输入捕捉模块以获得输入信 号边沿的时序。根据该时序，应用程序能正确设置 UART 的波特率。 当输入数据的波特率以及处理器的振荡器频率未知时， 自动波特率检测是很有用的。由于RC 振荡器经常不够 精确且随时间变化会产生漂移，因此采用RC 振荡器的 系统非常适合采用自动波特率检测。

完整英文电子版 IEC 60749-1：2002 Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Part 1：General （半导体器件 – 机械和气候测试方法 – 第 1 部分：总则）。适用于半导体器件（分立器件和集成电路），并建立了该系列所有其他部分通用的规定。 2003 年 8 月更正的内容已包含在此副本中。

完整英文电子版 IEC 60749-5：2017 Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Part 5：Steady-state temperature humidity bias life test （半导体器件 – 机械和气候测试方法 – 第 5 部分：稳态温度湿度偏置寿命测试）。IEC 60749-5:2017 提供了稳态温度和湿度偏置寿命测试，目的是评估非密封封装固态器件在潮湿环境中的可靠性。 此第二版取消并取代了 2003 年出版的第一版。此版本构成技术修订。 此版本相对于上一版本包括以下重大技术更改： a) 修正方程中的错误； b) 包含指导说明； c) 阐明试验条件的适用性。

完整英文电子版 IEC 60749-8：2002 Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Part 8：Sealing （半导体器件 – 机械和气候测试方法 – 第 8 部分：密封）。适用于半导体器件（分立器件和集成电路），它决定了半导体器件的泄漏率。 2003 年 4 月和 2003 年 8 月勘误的内容已包含在本副本中。

完整英文电子版 IEC 60749-11：2002 Semiconductor devices –Mechanical and climatic test methods –Part 11：Rapid change of temperature –Two-fluid-bath method （半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第11部分：温度的快速变化 - 双液浴法）。定义了快速变温试验方法和二液浴法。 该测试方法也可以使用较少的循环来测试浸入用于清洁设备的加热液体的效果。 该测试适用于所有半导体器件。 除非相关规范中另有详细说明，否则它被认为是破坏性的。 2003 年 1 月和 2003 年 8 月勘误的内容已包含在本副本中。

完整英文电子版 IEC 60749-12：2017 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 12：Vibration，variable frequency （半导体器件 - 机械和气候试验方法-第12部分：振动、变频）。IEC 60749-12:2017 描述了一种测试，用于确定指定频率范围内的变频振动对内部结构元件的影响。 这是一个破坏性的测试。 通常适用于空腔型封装

完整英文电子版 IEC 60749-38：2008 Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Part 38：Soft error test method for semiconductor devices with memory（半导体器件 – 机械和气候测试方法 – 第 38 部分：带存储器的半导体器件的软错误测试方法）。IEC 60749 的这一部分建立了一个程序，用于测量具有存储器的半导体器件在受到高能粒子（例如 alpha 辐射）的影响时的软错误敏感性。 描述了两个测试； 使用 alpha 辐射源的加速测试和（未加速的）实时系统测试，其中任何错误都是在自然发生的辐射条件下产生的，这些辐射可以是 alpha 或其他辐射，例如中子。 为了完全表征带有存储器的集成电路的软错误能力，必须使用额外的测试方法测试器件的宽高能谱和热中子。 这种测试方法可以应用于任何类型的带有存储器件的集成电路。

汽车电子电器件成本分析

顺络迅达电子的军工磁性器件替换选型指南，包含电感，磁珠，变压器，滤波器，功分器。对应替换目前日本美国大厂比如Aem，村田什么的。大部分可以实现原位替换