根据富士电机资料，汽车电子的核心是MOSFET和IGBT，无论是在引擎、戒者驱劢系统中癿发速箱控制和制劢、转向控 制中还是在车身中，都离丌开功率半导体。在传统汽车中癿劣力转向、轴劣刹车以及座椅等控制系统等，都需要加上电 机，所以传统汽车癿内置电机数量迅速增长，带劢了MOSFET癿市场增长。 新能源汽车中，除了传统汽车用到癿半导体需求之外，还需要以高压为主癿产品，如IGBT，对应癿部件有逆发器、PCT 加热器、空调控制板等。异构计算芯片是新能源汽车的“大脑”。中控芯片主要用二完成传感器信号——传感器数据— —驱劢数据——驱劢信号这样一个完整工作流程。未来主控芯片多为FPGA和ASIC。FPGA

高温或内部功耗产生的过多热量可能改变电子元件的特性并导致其关机、在指定工作范围外工作，甚或出现故障。电源管理器件（及其相关电路）经常会遇到这些问题，因为输入与负载之间的任何功耗都会导致器件发热，所以必须将热量从这些器件中驱散出来，使其进入PCB、附近的元器件或周围的空气。即使在传统高效的开关电源中，当设计PCB和选择外部元器件时，也都必须考虑散热问题。

碳化硅SiC MOSFE Vd‐Id 特性 SiC‐MOSFET 与IGBT 不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。 而Si‐MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上，与Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。 驱动门极电压和导通电阻 SiC‐MOSFET 的漂移层阻抗比Si‐MOSFET 低，但是另一方面，按照现在的技术水平，SiC‐MOSFET的MOS 沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si 器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（Vgs=20V 以上则逐渐饱和）。如果使用一般IGBT 和Si‐MOSFET 使用的驱动电压Vgs=10～15V 的话，不能发挥出SiC 本来的低导通电阻的性能，所以为了得到充分的低导通电阻，推荐使用Vgs=18V 左右进行驱动。Vgs=13V 以下的话，有可能发生热失控，请注意不要使用。 Vg‐Id 特性

1.概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR， 但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。2.功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N

1 GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 （ SiC ）、氮镓 （ GaN ） 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC 功率器件在 C 波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制；GaN 功率管因其大功率容量等特点，成为发较快的宽禁带器件。GaN 功率管因其高击穿电压、高线性性能、高效率等优势，已经在无线通信基站、广播电视、电台、干扰机、大功率雷达、电子对抗、卫星通信等领域有着广泛的应用和良好的使用前景。GaN 大功率的输出都是采用增加管芯总栅宽的方法来提高器件的功率输出，这样使得管芯输入、输出阻抗变得很低，引入线及管壳寄生参数对性能的影响很大，一致直接采用管壳外的匹配方法无法得到大的功率输出甚至无法工作。解决方法就是在管壳内引

单的间歇振荡器电路可以用来借助线圈电感的属性提升电压(V=L di/dt)。这种电路如图1所示，它更常见的叫法是焦耳小偷(Joule Thief)电路。

单的间歇振荡器电路可以用来借助线圈电感的属性提升电压(V=L di/dt)。这种电路如图1所示，它更常见的叫法是焦耳小偷(Joule Thief)电路。

MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管VBZM7N60为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。

我以前写过 MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点 写的比较匆忙，里面错误较多，这段时间潜心修改，整理一部分希望大家能看看。PS：我自己写文章，好像太没有美感了，到处都是1，2，3，4；不过我现在还没想好，是否还有比这种序号层次更清晰的叙事方式，前后300页+附录到处都是序号，希望大家不要崩溃。

IR Discrete MOSFET - Power.IntLib.intlib