MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计经典

自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步整流器栅极免受过高电压带来的损坏。理想情况下，您可以利用电源变压器直接驱动同步整流器，但是由于宽泛的输入电压变量，变压器电压会变得很高以至于可能会损坏同步整流器。

学术规范与研究生论文写作指导课程中对论文的写作分析 包括论文介绍、文章结构、词句分析、总结四部分

1.概述 　　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 　　功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制

MT3540 是一款固定频率，SOT23-5 封装的电流模 式升压变换器，高达 1.2MHz 的工作频率使得外围电 感电容可以选择更小的规格。内置软启动功能减小了 启动冲击电流。 MT3540 轻载时自动切换至 PFM模式。 MT3540 包含了输入欠压锁定，电流限制以及过热 保护功能。 小尺寸的封装给 PCB省下更多的空间 内部集成 500mΩ 功率 MOSFET 2、2.5V 到 5.5V 输入电压范围 3、1.2MHz 固定频率工作 4、内部 1.5A电流限制 5、可调输出电压 6、芯片内部补偿，简化外围元件总数 7、输出电压最高支持到 28V 8、高效率：最高可达85% 9、自动 PFM 10、SOT23-5封装

第四章光的衍射实验仿真 如果转动实验中的狭缝，则衍射图样也随之转动，而其延伸的方向总是保持与缝 的延伸方向正交(见图4．14(a))。如果把缝的长度缩小，使之成为矩形孔，从相互正 交的两个方向上来限制光束，则衍射图样也沿相互正交的两个方向延伸(见图 4．14(b))。如果采用三角孔，衍射图样将沿六个方向扩展(见图4．14(c))。若孔径边数 继续增多，采用五边形。衍射图样将沿十个方向扩展(见图4．140))。可以想到，随 着多边形边数的增加，衍射图样向外扩展的方向也增加。圆形相当于多边形边数趋于 无穷，因而圆孔的夫琅禾费衍射图样过渡为一系列同心圆环(见图4．14(e))。 将上述各实验归纳起来，可以看出夫琅禾费衍射现象具有如下鲜明的特点：第一， 光束在衍射屏上什么方位受到限制，则接收屏幕上的衍射图样就沿该方向扩展；第二， 通光孔线度越小，对光束的限制越厉害，则衍射图样越加扩展，即衍射效应越强。 fa)圆环 (b)双圆孔 (c)双矩孔 图4 15其他孔径夫琅禾费衍射仿真图样 图4．15表示圆环、双圆孔、双矩孔的夫琅禾费衍射图样，与理论推导的衍射图样 强度分布相吻合。 4．4．2不规则形状子L的夫琅禾费衍射 单缝、矩孔、圆孔等规则孔径的夫琅禾费衔射图样强度分布可由衍射理论直接得 出，根据公式可以对其有一定的理性认识。但对于复杂的图形，并不能简单地用数学 公式描述其透射函数。那么如何了解它们的夫琅禾费衍射图样强度分布呢?对其进行 计算机仿真就非常必要。图4．16表示五角星、旋转五边形的夫琅禾费衍射图样。 fa)五角星 (b)旋转五边彤 图4．16复杂孔径夫琅禾费衍射仿真图样 夫琅汞费衍射是实现傅里叶变换运算的物理手段之一．这一重要事实是对光学图 像作频谱分析的基础。利用Matlab可以实现任何平面物体的夫琅禾费衍射，获得其频 谱。这对于应用仿真的手段在频谱域处理光学图像带来了方便。

MOSFET的跨导gm和输出电导gds L0 * 根据MOSFET的跨导 gm的定义为： MOSFET I-V特性求得 MOSFET的优值:

MOSFET的功耗计算

针对45 nm MOSFET射频等效电路建模和参数提取技术进行了研究，在精确地提取了射频小信号模型参数之后，基于双端口网络的噪声相关矩阵和多端口噪声理论，使用本征电路的噪声电流源嵌入有噪声贡献的元件，从而分析推导出射频噪声参数模型，并与商用的45 nm CMOS射频测量值相对比，在相应的频段内显示出很好的正确性。

本應用手冊總整許多MOSFET 驅動線路討論, 適用於高頻MOSFET驅動線路設計參考. 由MOSFET材料特性出發,理想與非理想特性討論, 進而討論這種需動線路的優劣與PCB layout技巧,適合電源領域入門者值得收藏研讀