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TOSHIBA 本文档说明了功率MOSFET的栅极驱动电路。2017-08-21

LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本条件： 　　1）上下开关管50%占空比，1800对称的驱动电压波形； 　　2）感性谐振腔并有足够的感性电流； 　　3）要有足够的死区时间维持ZVS。 　　图a)是典型的LLC串联谐振电路。图b)是感性负载下MOSFET的工作波形。由于感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容

功率 MOSFET的正向导通、反向导通、正向截止等效电路，稳态特性总结；包含寄生参数的功率MOSFET等效电路；功率 MOSFET的开通和关断过程原理；因二极管反向恢复引起的 MOSFET开关波形；功率 MOSFET的选择原则与步骤等。

摘要：针对桥式拓扑功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的桥臂直通问题，给出了计及各寄生参数的驱动电路等效模型，对栅极驱动信号振荡的机理进行了深入研究，分析了驱动电路各参数与振荡的关系，并以此为依据对驱动电路进行参数优化设计，给出了实验波形。理论分析和实验结果表明，改进后的驱动电路成功地解决了驱动信号的振荡问题，从而保证了功率MOSFET能够安全、可靠地运行。 　　关键词：振荡；驱动电路；桥式拓扑结构 　　引言     　　功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛的应用。当采用功率MOSFET桥式拓扑结构时，同一桥臂上的两个功率器件在转换过程

第五部分 Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4.part5

第四部分 Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4.part4

第2部分 Mosfet Models for Spice Simulation

本书是Baliga的经典著作，非常好，并且出版日期较新，紧跟时代！

MOSFET设计，分析常用的公式，内容涵盖导通电阻的组成和计算，器件饱和电流的计算，器件电容和电荷计算以及背景介绍等