行业分类-电子-一种低电压工作的SRAM的存储单元电路.zip

为解决SRAM型FPGA在空间环境应用中单粒子翻转的问题，提出一种基于我国自主研制的定时刷新芯片（BSV2）的硬件设计方法。介绍了定时刷新器件BSV2及其基本刷新原理，同时以XC2V3000为例设计了刷新器件的典型应用电路，并对刷新的时序及有效性进行了测试验证。测试结果表明，定时刷新器件可以有效修复SRAM型FPGA的单粒子翻转及单粒子翻转造成的功能中断,提高了产品的可靠性

行业资料-电子功用-一种自适应的源极电压调节型SRAM结构

同步SRAM意如字义，是与时钟同步运行的SRAM。由于地址的提取以及数据的输出全部是与时钟同步，所以没有必要像异步SRAM那样必须分别考虑基于各种信号的时序，这是其最大的优势。  　　同步这样的名字容易让人产生误解的是，容易想象成如图所示的、在普通的异步SRAM外部添加时钟同步电路。这种情况是为了确保地址及数据等的建立／保持时间，以一个时钟单位进行调整。 　　图 这也是同步SRAM 　　事实上，这是与异步SRAM相同的。从图中就可看出，异步SRAM比较麻烦的是必须遵守各处的时序规定。如果总线的操作时钟缩短为66MHz（一周期16 ns）及100MHz（一周期10ns），则调整时间本身就

采用定制的设计方法，完成128×8bit的SRAM的设计 面向Chart 0.35um工艺，完成电路设计，版图设计 通过实验学习如何有效地组织较大规模的数字电路的设计 掌握cmos集成电路的设计方法，熟悉从电路分析，电路设计到流 片和测试的设计过程

一个AHB_SRAM的从机控制器，自己看视频学了一部分，是基于低功耗设计思想的，但是也满足AHB的时序要求，只做过功能仿真，附件含有代码、图片、tb代码、RTL 视图，和说明等，欢迎下载

Cyclone2 FPGA读写SRAM IS61LV25616 实验Verilog逻辑源码Quartus工程文件 module SRAM_TEST ( //input input sys_clk , //system clock; input sys_rst_n , //system reset, low is active; //output inout [15:0] SRAM_DQ , output reg [17:0] SRAM_ADDR , output reg SRAM_CE , output reg SRAM_OE , output reg SRAM_WE , output reg SRAM_UB , output reg SRAM_LB , output reg [ 7:0] LED ); //Reg define reg [3:0] div_cnt ; reg sram_clk ; reg [5:0] ctrl_cnt ; reg [15:0] sram_data_lck ; reg [15:0] sram_din ; //Wire define //************************************************************************************ //** Main Program //** //************************************************************************************ // counter used for div osc clk to sram ctrl clk 50M/16 always @(posedge sys_clk or negedge sys_rst_n) begin if (sys_rst_n ==1'b0) div_cnt <= 4'b0; else div_cnt <= div_cnt + 4'b1; end //gen sram_clk always @(posedge sys_clk or negedge sys_rst_n) begin if (sys_rst_n ==1'b0) sram_clk <= 1'b0 ; else if ( div_cnt <= 4'd7 ) sram_clk <= 1'b1 ; else sram_clk <= 1'b0 ; end // sram ctrl signal gen // ctrl_cnt 0 - 31 is for write ctrl // ctrl_cnt 31 - 63 is for read ctrl always @(posedge sram_clk or negedge sys_rst_n) begin if (sys_rst_n ==1'b0) ctrl_cnt <= 6'b0; else ctrl_cnt <= ctrl_cnt + 6'b1; end always @(posedge sram_clk or negedge sys_rst_n) begin if (sys_rst_n ==1'b0) SRAM_ADDR <= 18'b0; else if ( ctrl_cnt

下面我们看一下实际的同步管道突发式SRAM，这次我们作为实例的产晶是Cypress公司的128K×36位的CY7C1347B。之所以采用36位而不是32位，是因为考虑到每隔8位（一个字节）能进行验证的情况。  　　CY7C1347B的内部框图如图1所示，信号种类如图2所示。这些信号除了以一字节为单位进行写人操作的BW″信号以外，还包括进行onJL位整体写入操作的GW。在CPU的突发周期中，当可以一次性更新1字大小（36位）的数据时使用GW；当从外部更新1字节或2字节大小的数据时使用BW刀信号，这样就可以只更新相应的字节数据。另外，用于地址锁存的信号包括ADSC和ADSP两个信号，ADSC用于来

STM32F103ZET6+sram+3.2TFT-lcd屏开发板硬件设计原理图+PCB源文件，Altium Designer 设计的工程文件，包括原理图及PCB文件，2层板设计，板子大小为116x90mm，双面布局布线，可以用Altium(AD)软件打开或修改，可作为你产品设计的参考。 主要器件如下： Library Component Count : 40 Name Description ---------------------------------------------------------------------------------------------------- ARM_JTAG ARM_JTAG-20PIN ASM1117-3.3 AT24LC02 I2C bus interface,2Kbit EEPROM BATTERY Battery BEAD BigPiranha_new CAP Capacitor CRYSTAL Crystal Cap Pol1 Polarized Capacitor (Radial) Cap Pol3 Polarized Capacitor (Surface Mount) ColorLCD_module D Schottky Schottky Diode DB9 DS18B20 Programmable Resolution 1-Wire Digital Thermometer ,TO-92 package ENC28J60 10M Ethernet Module with 4-spi interface Header 2 Header, 2-Pin Header 30 Header, 30-Pin Header 4X2 Header, 4-Pin, Dual row IS64WV51216BALL-TSOP44512k x 16 BIT COMS SDRAM,3.3V Inductor Inductor JP2 Jumper3 LED2 Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LED MAX3232 NPN PJ202A PRTR5V0U2X SOT143, 4-Leads, Ultra low capacitance double rail-to-rail ESD protection diode R Res3 Resistor SD_CARD SN65HVD230D SW PUSHBUTTON SE PUSHBUTTON SW-PB Switch SW-SPDT SPDT Subminiature Toggle Switch, Right Angle Mounting, Vertical Actuation URF04 Ultrasonic wave distanc measure module VS1003b-Module MP3 module XTAL Crystal Oscillator miniUSB-A miniUSB-A interface nRF24L01 nRF24L01,2.4GHz wireless communication moudle interface res1 Resistor

程序完全可用原子哥的STM32F407 LCD的程序，SSD1963正常点亮9寸屏，ORCAD文件，请用16.6以上版本打开。