采用定制的设计方法，完成128×8bit的SRAM的设计 面向Chart 0.35um工艺，完成电路设计，版图设计 通过实验学习如何有效地组织较大规模的数字电路的设计 掌握cmos集成电路的设计方法，熟悉从电路分析，电路设计到流 片和测试的设计过程

一个AHB_SRAM的从机控制器，自己看视频学了一部分，是基于低功耗设计思想的，但是也满足AHB的时序要求，只做过功能仿真，附件含有代码、图片、tb代码、RTL 视图，和说明等，欢迎下载

Cyclone2 FPGA读写SRAM IS61LV25616 实验Verilog逻辑源码Quartus工程文件 module SRAM_TEST ( //input input sys_clk , //system clock; input sys_rst_n , //system reset, low is active; //output inout [15:0] SRAM_DQ , output reg [17:0] SRAM_ADDR , output reg SRAM_CE , output reg SRAM_OE , output reg SRAM_WE , output reg SRAM_UB , output reg SRAM_LB , output reg [ 7:0] LED ); //Reg define reg [3:0] div_cnt ; reg sram_clk ; reg [5:0] ctrl_cnt ; reg [15:0] sram_data_lck ; reg [15:0] sram_din ; //Wire define //************************************************************************************ //** Main Program //** //************************************************************************************ // counter used for div osc clk to sram ctrl clk 50M/16 always @(posedge sys_clk or negedge sys_rst_n) begin if (sys_rst_n ==1'b0) div_cnt <= 4'b0; else div_cnt <= div_cnt + 4'b1; end //gen sram_clk always @(posedge sys_clk or negedge sys_rst_n) begin if (sys_rst_n ==1'b0) sram_clk <= 1'b0 ; else if ( div_cnt <= 4'd7 ) sram_clk <= 1'b1 ; else sram_clk <= 1'b0 ; end // sram ctrl signal gen // ctrl_cnt 0 - 31 is for write ctrl // ctrl_cnt 31 - 63 is for read ctrl always @(posedge sram_clk or negedge sys_rst_n) begin if (sys_rst_n ==1'b0) ctrl_cnt <= 6'b0; else ctrl_cnt <= ctrl_cnt + 6'b1; end always @(posedge sram_clk or negedge sys_rst_n) begin if (sys_rst_n ==1'b0) SRAM_ADDR <= 18'b0; else if ( ctrl_cnt

下面我们看一下实际的同步管道突发式SRAM，这次我们作为实例的产晶是Cypress公司的128K×36位的CY7C1347B。之所以采用36位而不是32位，是因为考虑到每隔8位（一个字节）能进行验证的情况。  　　CY7C1347B的内部框图如图1所示，信号种类如图2所示。这些信号除了以一字节为单位进行写人操作的BW″信号以外，还包括进行onJL位整体写入操作的GW。在CPU的突发周期中，当可以一次性更新1字大小（36位）的数据时使用GW；当从外部更新1字节或2字节大小的数据时使用BW刀信号，这样就可以只更新相应的字节数据。另外，用于地址锁存的信号包括ADSC和ADSP两个信号，ADSC用于来

STM32F103ZET6+sram+3.2TFT-lcd屏开发板硬件设计原理图+PCB源文件，Altium Designer 设计的工程文件，包括原理图及PCB文件，2层板设计，板子大小为116x90mm，双面布局布线，可以用Altium(AD)软件打开或修改，可作为你产品设计的参考。 主要器件如下： Library Component Count : 40 Name Description ---------------------------------------------------------------------------------------------------- ARM_JTAG ARM_JTAG-20PIN ASM1117-3.3 AT24LC02 I2C bus interface,2Kbit EEPROM BATTERY Battery BEAD BigPiranha_new CAP Capacitor CRYSTAL Crystal Cap Pol1 Polarized Capacitor (Radial) Cap Pol3 Polarized Capacitor (Surface Mount) ColorLCD_module D Schottky Schottky Diode DB9 DS18B20 Programmable Resolution 1-Wire Digital Thermometer ,TO-92 package ENC28J60 10M Ethernet Module with 4-spi interface Header 2 Header, 2-Pin Header 30 Header, 30-Pin Header 4X2 Header, 4-Pin, Dual row IS64WV51216BALL-TSOP44512k x 16 BIT COMS SDRAM,3.3V Inductor Inductor JP2 Jumper3 LED2 Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LED MAX3232 NPN PJ202A PRTR5V0U2X SOT143, 4-Leads, Ultra low capacitance double rail-to-rail ESD protection diode R Res3 Resistor SD_CARD SN65HVD230D SW PUSHBUTTON SE PUSHBUTTON SW-PB Switch SW-SPDT SPDT Subminiature Toggle Switch, Right Angle Mounting, Vertical Actuation URF04 Ultrasonic wave distanc measure module VS1003b-Module MP3 module XTAL Crystal Oscillator miniUSB-A miniUSB-A interface nRF24L01 nRF24L01,2.4GHz wireless communication moudle interface res1 Resistor

程序完全可用原子哥的STM32F407 LCD的程序，SSD1963正常点亮9寸屏，ORCAD文件，请用16.6以上版本打开。

#基于ＡＨＢ总线ＳＲＡＭ控制器 的设计及优化

用cadence软仿真静态随机存储（SRAM）单元读写机制实验报告

下位机设计 ：主控stm32，数据通过mpu6050采集数存到Sram23LC1024,上位机需要数据时，发个命令数据从Sram中读出通过蓝牙传到上位机。

行业-电子政务-NMOS晶体管及其形成方法、SRAM存储单元电路.zip