完整英文电子版 JEDEC JESD214-01：2017 Constant-Temperature Aging Method to Characterize Copper Interconnect Metallization for Stress-Induced Voiding （用于表征应力诱导空洞的铜互连金属化的恒温老化方法）。本文档描述了一种恒温（等温）老化方法，用于测试微电子晶片上的铜 (Cu) 金属化测试结构对应力诱导空洞 (SIV) 的敏感性。 该方法将主要在技术开发期间的晶圆生产级别进行，其结果将用于寿命预测和故障分析。 在某些条件下，该方法可能适用于封装级测试。 由于测试时间长，此方法不适用于检查发货的生产批次。

完整英文电子版 JEDEC JESD226：2013 RF BIASED LIFE (RFBL) TEST METHOD（射频偏置寿命 (RFBL) 测试方法）。这种应力方法用于确定射频偏置条件和温度随时间对功率放大器模块 (PAM) 的影响。 这些条件旨在以加速的方式模拟设备的运行条件，预计它们主要用于设备验证和可靠性监控。

完整英文电子版 JEDEC JESD237：2014 Reliability Qualification of Power Amplifier Modules （功放模块可靠性鉴定）。该标准描述了一组基线验收测试，用于将功率放大器模块作为单独的新产品、产品系列或正在更改的过程中的产品进行鉴定。 这些测试能够刺激和沉淀半导体器件、内部组件、层压板和封装故障。 目标是与使用条件相比以加速的方式促成故障。 故障率预测通常需要比鉴定测试和持续时间或应力中要求的更大的样本量，这会加剧正常磨损。 有关预测故障率的指南，请参阅 JESD85 以 FIT 为单位计算故障率的方法。 该认证标准并非针对极端使用条件，例如军事应用、汽车引擎盖下应用或不受控制的航空电子环境，也不涉及 JEP150 中提到的 2 级可靠性考虑因素。

完整英文电子版 JEDEC JESD241：2015 Procedure for Wafer-Level DC Characterization of Bias Temperature Instabilities（偏置温度不稳定性的晶圆级 DC 表征程序）。本文档的范围是为代工厂和无晶圆厂客户提供最低通用协议，以比较 MOSFET 在商定的寿命终止 (EOL) 时的直流 BTI 引起的平均 VT 偏移具有可制造 CMOS 工艺和技术的沟道宽度、Wdes（Wdes >=Wmin – 见附件 B）和长度 Ldes 的晶体管。 BTI 比较是在假设的最差直流使用条件（VDDmax、TJmax）下提出的。 该程序适用于 pMOSFET 和 nMOSFET 晶体管的负 (VGS 0) (PBTI) BTI 条件。

完整英文电子版 JEDEC JESD557C：2015 Statistical Process Control Systems(统计过程控制系统)。本标准规定了统计过程控制（SPC）系统的一般要求。

完整英文电子版 JEDEC JESD659C：2017 Failure-Mechanism-Driven Reliability Monitoring (故障机制驱动的可靠性监控)。该标准描述了基于限制可靠性的故障机制的测量的组件和组件可靠性监视器的基本要求。 它适用于资格后生产期。 内在（磨损和系统）和外在（基于缺陷的）故障源都得到了解决。

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