MOSFET 因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET 的驱动常 根据电源 IC 和 MOSFET 的参数选择合适的电路。下面一起探讨 MOSFET 用于开关电源的驱动电路

mos管测量方法图解 场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET），我们平常简称为MOS管。而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管。 下图为MOS管的标识 我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。不管是N沟道还是P沟道都一样。把芯片放正。从左到右分别为G极D极S极！如下图： 用二极管档对MOS管的测量。首先要短接三只引脚对管子进行放电。 1然后用红表笔接S极。黑表笔接D极。如果测得有500多的数值。说明此管为N沟道。。 2黑笔不动，用红笔去接触G极测得数值为1. 3红笔移回到S极，此时管子应该为导通。 4然后红笔测D极，而黑笔测S极。应该测得数值为1.（这一步时要注意。因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压，所以DS之间还是导通的，不过大概10几秒后才恢复正常。建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先） 5然后红笔不动，黑笔去测G极，数值应该为1 到此我们可以判定此N沟道场管为正常

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英飞凌MOS管选型依据，里面有各种条件可供选择，最短时间内选出符合条件的MOS管

MOSFET管经典驱动电路设计大全MOS管驱动电路设计资料（工作原理+电路设计+问题总结），可以做为你的学习设计参考、

作为一名电源研发工程师，自然经常与各种芯片打交道，可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解，不少同学在应用新的芯片时直接翻到Datasheet的应用页面，按照推荐设计搭建外围完事。如此一来即使应用没有问题，却也忽略了更多的技术细节，对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验。今天以一颗DC/DC降压电源芯片LM2675为例，尽量详细讲解下一颗芯片的内部设计原理和结构，IC行业的同学随便看看就好，欢迎指教！　　LM2675-5.0的典型应用电路　　打开LM2675的DataSheet，首先看看框图　　　　这个图包含了电源芯片的内部全部单元模块，BUCK结构我们已经很理解了，这个芯片的主要功能是实现对

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最 大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不 是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原 创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。

1、资源内容：讲解了MOS管在实际应用中导致米勒震荡的成因，以及在逆变电路中寄生电压产生的原因。 2、使用人群：硬件工程师，电力电子方向工作的技术人员。 3、创作目的：和广大工程师一起交流一起成长。

①使用LL库。 ②户外电源，逆变器产品。