不管是逻辑芯片还是存储芯片，制程量级越低，技术难度越大，制作成本也越高。IBS 的 数据显示：28nm 体硅器件的设计成本大致在 5130 万美元左右，而 7nm 芯片需要 2.98 亿， 5nm 则需要 5.42 亿美元，成本的增长速度越来越快。28nm 是半导体制程里性价比最高、长周期属性明显的制程。一方面，相较于 40nm 及更 早期制程，28nm 工艺在频率调节、功耗控制、散热管理和尺寸压缩方面具有明显优势。 另一方面，由于 16nm/14nm 及更先进制程采用 FinFET 技术，维持高参数良率以及低缺陷 密度难度加大，每个逻辑闸的成本都高于 28nm，从前面制程成本比较的图中也可以

基于1560 nm 激光单次通过PPLN 晶体倍频到780 nm 激光的实验，分析了准相位匹配倍频过程中非线性转换系数与温度之间的关系。详细计算了考虑晶体极化周期的热膨胀时，晶体非线性转换系数和匹配温度的变化。采用有限元的方法，计算了激光穿过PPLN 晶体时，整个晶体和出射端面的温度场分布，并由此给出了出射面的非线性转换系数的分布情况，重点分析了晶体尺寸、光功率及散热方式对热效应的影响。仿真结果表明：增加晶体的宽度、采用导热性能好的材料作散热材料，并采用四面包围的散热方式有利于晶体的散热。

CIE1964-CIE1931-标准照明体数据表-1nm间隔

针对45 nm MOSFET射频等效电路建模和参数提取技术进行了研究，在精确地提取了射频小信号模型参数之后，基于双端口网络的噪声相关矩阵和多端口噪声理论，使用本征电路的噪声电流源嵌入有噪声贡献的元件，从而分析推导出射频噪声参数模型，并与商用的45 nm CMOS射频测量值相对比，在相应的频段内显示出很好的正确性。

设计了关于pid和mpc的控制实例，比较pid和mpc的输出特性

计算矩形波导中传播的 TE_nm 和 TM_nm 模式的波阻抗

模拟单模光纤中的掺铒光纤的放大，泵浦源为980nm。使用了RK算法计算的。

联想拯救者Y7000 EY515/EY517/EY519/EY520 NM-B701图纸

自己在学习OSEK NM2.53过程中认识与理解，希望对需要的人有用。有什么问题，也可以留言讨论，互帮互助，共同学习

从掺铥光纤放大器的速率方程组和光传输方程出发，引入光场与掺杂分布的重叠因子，利用数值法分别模拟计算了光纤掺杂浓度、长度和抽运功率等参数对放大器增益的影响，并计算了一定掺杂浓度和抽运功率下的最佳光纤长度及其对应的增益，分析了该类放大器增益随输入信号功率的变化关系，并计算了其功率转换效率。