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OSEK 网络管理流程图

利用TFCALC薄膜设计软件包对TiO2/SiO2, Ta2O5/SiO2和Si/SiO2膜系中心波长为1315 nm的硅镜反射特 性进行了仿真模拟。给出了正入射与45°斜入射情况下三种膜系硅镜的反射特性,并进行了分析与讨论。

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不管是逻辑芯片还是存储芯片，制程量级越低，技术难度越大，制作成本也越高。IBS 的 数据显示：28nm 体硅器件的设计成本大致在 5130 万美元左右，而 7nm 芯片需要 2.98 亿， 5nm 则需要 5.42 亿美元，成本的增长速度越来越快。28nm 是半导体制程里性价比最高、长周期属性明显的制程。一方面，相较于 40nm 及更 早期制程，28nm 工艺在频率调节、功耗控制、散热管理和尺寸压缩方面具有明显优势。 另一方面，由于 16nm/14nm 及更先进制程采用 FinFET 技术，维持高参数良率以及低缺陷 密度难度加大，每个逻辑闸的成本都高于 28nm，从前面制程成本比较的图中也可以

基于1560 nm 激光单次通过PPLN 晶体倍频到780 nm 激光的实验，分析了准相位匹配倍频过程中非线性转换系数与温度之间的关系。详细计算了考虑晶体极化周期的热膨胀时，晶体非线性转换系数和匹配温度的变化。采用有限元的方法，计算了激光穿过PPLN 晶体时，整个晶体和出射端面的温度场分布，并由此给出了出射面的非线性转换系数的分布情况，重点分析了晶体尺寸、光功率及散热方式对热效应的影响。仿真结果表明：增加晶体的宽度、采用导热性能好的材料作散热材料，并采用四面包围的散热方式有利于晶体的散热。

CIE1964-CIE1931-标准照明体数据表-1nm间隔

针对45 nm MOSFET射频等效电路建模和参数提取技术进行了研究，在精确地提取了射频小信号模型参数之后，基于双端口网络的噪声相关矩阵和多端口噪声理论，使用本征电路的噪声电流源嵌入有噪声贡献的元件，从而分析推导出射频噪声参数模型，并与商用的45 nm CMOS射频测量值相对比，在相应的频段内显示出很好的正确性。

设计了关于pid和mpc的控制实例，比较pid和mpc的输出特性

计算矩形波导中传播的 TE_nm 和 TM_nm 模式的波阻抗