45 nm MOSFET射频小信号噪声等效电路建模直接提取方法
针对45 nm MOSFET射频等效电路建模和参数提取技术进行了研究，在精确地提取了射频小信号模型参数之后，基于双端口网络的噪声相关矩阵和多端口噪声理论，使用本征电路的噪声电流源嵌入有噪声贡献的元件，从而分析推导出射频噪声参数模型，并与商用的45 nm CMOS射频测量值相对比，在相应的频段内显示出很好的正确性。
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