英飞凌魏炜介绍了IGBT双脉冲测试的方法,以及双脉冲测试平台搭建,实施步骤,二极管反向恢复电流及时间的大小,双脉冲和单脉冲实验的对比,双脉冲实验中关键参数的读取和处理,完成对IGBT杂散电感、母排设计、驱动电阻选取的测试验证。
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介绍一种新型的M O S F E T 和I G B T 驱动器 IR2136的结构和原理,并用此芯片实现了电机矢量控制系 统。试验结果显示电机控制系统具有良好的特性,证明该 芯片在实现电机控制系统中的实用性。
2021-03-16 21:21:50 135KB 伺服电机 IGBT MOSFET IR2136
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AN-0901:使用SCALE-2 IGBT驱动器控制多电平变换器拓扑的方法.pdf
2021-03-16 14:04:18 396KB IGBT、驱动
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30kVA逆变电源中IGBT的驱动与保护.doc
2021-03-15 21:03:26 63KB 逆变电源中IGBT的驱动与保护
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基于IGBT的变频电源设计论文资料.
2021-03-13 20:05:04 1.69MB 基于IGBT的变频电源设计论文资
摘要:在较复杂的变流系统中,主控系统的延滞会影响IGBT模块故障保护的时效性,造成保护失败。针对这种情况,本文采用光耦驱动芯片HCPL-316J和DSP芯片设计了一种IGBT驱动电路,当光耦芯片故障信号发出后立即封锁IGBT驱动信号,完全消除了主控程序运行时长对故障保护的影响。通过模拟过流实验和实际应用表明,本设计故障保护响应迅速,运行稳定可靠。   引言   光耦驱动芯片HCPL-316J是Agilent公司[编者注:2014年8月更名为keysight(是德)公司]生产的栅极驱动电路产品之一,可用于驱动150A/1200V的IGBT,开关速度为0.5?s,有过流检测
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输出高达2A的IGBT驱动光耦HCPL-3120 产品特点: l 2A最小峰值电流输出 l 15KV绝缘耐压 l 0.5V最大低电位输出(负偏压除外) l 5mA供电电流 l 欠压锁定 l 500nS最大开关时间 l 15-30V宽压工作环境,-40-150度工作温 l 工业级温度范围:-40-100度 l 安全认证:UL,VDE0884 应用: ● IGBT/MOSFET驱动 ● 交流电机直流无刷驱动 ● 变频器 ● 开关电源 http://www.
2021-03-04 21:43:43 201KB IGBT驱动光耦HCPL-3120
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基于“S注入法”的选线定位保护新原理的TY系列选线定位保护已大量运行于国内电力系统。“S注入法”需通过电压互感器向故障系统注入检测信号,而为了消谐等目的,电压互感器有多种特殊的接线方式。本文对这些特殊的接线方式进行了分析,论证说明了这些特殊接线方式既能够满足消谐的需要,又可以适合于“S注入法”选线定位。
2021-03-01 05:17:01 185KB MOS|IGBT|元器件
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SEMIKRON-IGBT模块命名方法 西门康功率模块的命名方法 赛米控功率模块的命名方法
2021-02-23 14:35:07 399KB SEMIKRON IGBT 模块 命名
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FUJI WEB SIMULATION TOOL
2021-02-22 21:02:54 1.54MB FUJI_IGBT
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