DA14580在上电后,即使没有下载程序,也会自行启动,扫描各端口有否启动代码,依次OTP、SPI(M)UART1/2/3/4、SPI(S)、IIC(S)。M即为有外部Master,DA14580为从端。S即为外部Slave,DA14580为主端。 若此时SPI_S(Flash)有启动代码,就会自动搬32K code到RAM中,并自动从0x20000000运行。 注:为啥只搬32K,是要顾及到内部OTP仅32K空间,若超限会出错。该原始引导程序,被固化到DA14580中。 二、 扩展ram到38K代码空间 1、若代码超过32K,但在38K内,不用改case,仍沿用CASE23即可。 2、将附件中system_ARMM0_38K.c及boot_vectors_38K.s文件,Copy到: dk_apps\src\plf\refip\src\arch\boot\rvds目录与system_ARMM0.c及boot_vectors.s在同一目录内。 3、将附件中的scatterfile_common.sct_38K.sct文件,Copy到: dk_apps\scatterfiles目录,与scatterfile_common.sct文件同一目录内。
2021-07-07 15:33:22 3.72MB DA14580扩RAM RAM38K_40K
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C/C++使用WinIO读取CMOS数据,使用Visual Studio 2017编写。程序简单,只提供前64位数据读取
2021-07-04 00:32:55 8.58MB CMOS RAM C/C++
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此程序是用verilog编写的RAM模块,各种信号都很全,已经通过仿真验证。
2021-06-30 17:10:09 666B verilog RAM
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TC58BYG0S3HBAI6_datasheet_en_20191001.pdf
2021-06-29 20:08:41 1.37MB RAM
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quartus ii的双端口RAM实现。双口RAM分伪双口RAM(Xilinx称为Simple two-dual RAM)与双口RAM(Xilinx称为true two-dual RAM),伪双口RAM,一个端口只读,另一个端口只写,且写入和读取的时钟可以不同,位宽比可以不是1:1;而双口RAM两个端口都分别带有读写端口,可以在没有干扰的情况下进行读写,彼此互不干扰0;
2021-06-27 19:08:30 992KB RAM
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课程设计,用VERLOG语言编写的RAM可逆计数器,可以预置数
2021-06-26 19:03:19 40KB verilog语言
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嵌入式课程设计,基于ARM的电子琴设计,键盘控制
2021-06-23 09:50:16 420KB 电子琴
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双端口RAM方式的数据通信例程.C
dsp2812外部 RAM 读写实验,适用于新手学习,已调试
2021-06-03 16:58:21 232KB dsp2812外部 RAM 读写实验
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适用于安卓新硬件设备的ram和emmc检测的工具,实时记录每一次的结果到文件,错误日志,可以进行长期性测试
2021-06-02 18:00:58 2.14MB ram emmc 内存检测工具 安卓设备检测
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