VHDL实现双口RAM的设计，程序经过测试。

一个RAM读写的测试例子。 其中重要的一点是包括了SV测试中所需要基本子模块。 DUT本身简单，所以整个测试模块都比较简单，容易理解SV测试过程。

华中科技大学计算机组成原理实验报告（完整）+代码参考 ---自己写的 报告写好，代码是自己写的 1.学生理解主存地址基本概念，理解存储位扩展基本思想 2.能利用相关原理构建能同时支持字节、半字、字访问的存储子系统。

STM32 驱动CY7C027左端写入，右端读取，模拟并口读写

这是关于双端口RAM的VHDL程序代码，包括详细的注释说明

GD32F1x0 使用DMA channel0将数据缓冲区从FLASH存储器转移到嵌入式SRAM存储器。 在编程flash地址之前，首先执行一个擦除操作。 擦除操作后，FLASH存储器和0xFFFFFFFF(复位值)之间的比较 检查FLASH存储器是否已被正确擦除。 一旦擦除操作正确完成，编程操作将是 通过使用fmc_programword函数执行。 写入的数据被转移到 嵌入式SRAM存储器由DMA1 Channel1。 通过使能DMA1 Channel1开始传输。 在传输结束时，一个传输完整中断就产生了 启用。 对FLASH存储器和嵌入式SRAM存储器进行了比较 检查所有数据都已正确传输。 如果比较结果通过， LED2和LED4发光。 否则，LED1和LED3会亮起。

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GD32 使用DMA通道(1到4)从RAM到RAM传输数据。 DMA通道(1到4)为 配置为将存储在"source_address"中的数据缓冲区的内容转移到 接收缓冲区声明在RAM(destination_address1~destination_address4)。 传输的开始是由软件触发的。 在转移结束时，进行比较 在源和目标缓冲区之间进行检查，以检查所有数据是否正确 转移。 如果转换正确，对应的LED灯。 如果转移不正确，则 对应的LED灯熄灭。