CMOS集成电路设计拉扎维答案

这是拉扎维编著的模拟CMOS集成电路设计的电子版，它详细介绍了模拟集成电路设计的方法。是学习集成电路设计一本必备的教材。复旦大学就是使用这一本教材。 另外，文件较大，所以做了分卷压缩，下载的朋友需要下载下来两个分卷再解压方可使用。

CMOS开关管的工作原理，N沟道MOS管和P沟道MOS管的区别。

为了设计最优的级间耦合变压器以最大化多级放大器的增益，提出了一种N：1片上变压器的版图设计方法，建立了基于物理的变压器集约等效电路模型。对于5 GHz下工作的变压器耦合两级放大器，利用该设计方法找到了最优的变压器结构参数。将三维全波电磁场仿真软件HFSS对该结构模拟所得的参数模块与应用物理模型建立的变压器等效电路分别代入两级放大器进行电路模拟，两者模拟结果相互符合。

4T像素结构的CMOS图像传感器论文

根据富士电机资料，汽车电子的核心是MOSFET和IGBT，无论是在引擎、戒者驱劢系统中癿发速箱控制和制劢、转向控 制中还是在车身中，都离丌开功率半导体。在传统汽车中癿劣力转向、轴劣刹车以及座椅等控制系统等，都需要加上电 机，所以传统汽车癿内置电机数量迅速增长，带劢了MOSFET癿市场增长。 新能源汽车中，除了传统汽车用到癿半导体需求之外，还需要以高压为主癿产品，如IGBT，对应癿部件有逆发器、PCT 加热器、空调控制板等。异构计算芯片是新能源汽车的“大脑”。中控芯片主要用二完成传感器信号——传感器数据— —驱劢数据——驱劢信号这样一个完整工作流程。未来主控芯片多为FPGA和ASIC。FPGA

设计了一种新型的、不随电源电压变化的、温度系数很小的nA量级CMOS基准电流源，并分析了该电路的工作原理。该基准电流源不需要使用电阻，大大节省了芯片的面积。基于TSMC 0.18 μm CMOS厚栅工艺，使用Spectre对电路进行了仿真。仿真结果表明，在输出基准电流为46 nA的情况下，该电路的温度系数为24.33 ppm/℃，输出电流变化率仅为0.028 9%/V，电源抑制比（PSRR）最高可达-85 dB，电路消耗的电流小于200 nA。

CCD_CMOS图像传感器基础与应用_11685482.pdf

无线通讯市场的趋势一直朝向低成本、低消耗功率、小体积等目标。短距离装置产品(Short-Range Devices )更在无线传感器网络(sensor network) 概念的推波助澜下，带动了射频芯片(RF IC)的需求量大增，射频收发器 (TRX)要达到低功耗设计，低电压工作是必要条件，然而，电路的效能与工作电压有关，在兼顾到效能与低功耗之间，是一个很大的挑战。近年来，RF IC之制作技术日新月异。高速、低功率组件更是众所瞩目之焦点，目前0.13um RF CMOS工艺的晶体管，fT 值可达到60 GHz，这表示CMOS晶体管有足够的能力来处理高频信号，所以产业界的主流几乎以RF CMOS

给出一低功耗、低温度系数的电压基准源电路的设计。其特点是利用工作在弱反型区晶体管的特性,该电压基准源采用CSMC 0.5μm,两层POLY,一层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0.036 75 mm2。测试结果表明:其最大工作电流不超过380 nA;在2.5~6 V工作电压下,线性调整率为0.025%;4 V输入电压;20~100℃范围内,平均温度系数为64 ppm/℃。以更小的面积,更低的功耗实现了电压基准源的性能。