我以前写过 MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点 写的比较匆忙，里面错误较多，这段时间潜心修改，整理一部分希望大家能看看。PS：我自己写文章，好像太没有美感了，到处都是1，2，3，4；不过我现在还没想好，是否还有比这种序号层次更清晰的叙事方式，前后300页+附录到处都是序号，希望大家不要崩溃。

摘要：针对桥式拓扑功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的桥臂直通问题，给出了计及各寄生参数的驱动电路等效模型，对栅极驱动信号振荡的机理进行了深入研究，分析了驱动电路各参数与振荡的关系，并以此为依据对驱动电路进行参数优化设计，给出了实验波形。理论分析和实验结果表明，改进后的驱动电路成功地解决了驱动信号的振荡问题，从而保证了功率MOSFET能够安全、可靠地运行。 　　关键词：振荡；驱动电路；桥式拓扑结构 　　引言     　　功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛的应用。当采用功率MOSFET桥式拓扑结构时，同一桥臂上的两个功率器件在转换过程

MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计经典

自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步整流器栅极免受过高电压带来的损坏。理想情况下，您可以利用电源变压器直接驱动同步整流器，但是由于宽泛的输入电压变量，变压器电压会变得很高以至于可能会损坏同步整流器。

MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计，课设时用作参考，十分实用。

MOSFET datasheet 参数理解及其主要特性，驱动电路设计参考，如需请下载，很不错的资料，希望对你的工作学习有帮助。

噶时光噶萨嘎岁嘎嘎嘎嘎阿萨嘎嘎嘎嘎嘎啊嘎嘎嘎嘎阿哥啊嘎嘎阿哥

简要讲解mosfet驱动电流的计算~~~~~~

TC4426A/TC4427A/TC4428A 1.5A双高速功率MOSFET驱动器特性 • 峰值输出电流高：1.5A • 输入电源电压工作范围宽： - 4.5V 至 18V • 容性负载驱动能力强：25 ns 内 1000 pF （典型 值） • 延时时间短：30 ns （典型值） • 匹配的上升、下降和延时时间 • 电源电流低： - 对于逻辑 “1”，输入电流：1 mA （典型值） - 对于逻辑“0”，输入电流：100 µA （典型值） • 输出阻抗低：7Ω （典型值） • 锁定保护：能够经受 0.5A 的反向电流 • 输入能够经受住 高 5V 的负输入 • ESD 保护：4 kV • 与 TC426/TC427/TC428 和 TC4426/TC4427/ TC4428 引脚兼容 • 节省空间的 8 引脚 MSOP 和 8 引脚 6x5 DFN 封装 应用 • 开关式电源 • 线路驱动器 • 脉冲变压器驱动 基本说明 TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件是早先 TC4426/ TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进型。除了 匹配的上升和下降时间之外， TC4426A/TC4427A/ TC4428A 器件还具有匹配的上升和下降延时时间。 在额定功率和额定电压范围内的任何条件下，器件具有 很高的锁定阻抗。即便接地引脚上出现高达 5V 的干扰 尖峰（无论是正向还是反向），器件也不会损坏。器件 能够接受强行返回至输出的高达 500 mA 的反向电流 （无论极性如何），不会造成器件损坏或逻辑混乱。全部 引脚都是完全静电放电 （Electrostatic Discharge， ESD）保护的，能够承受至多 4 kV 的静电。 TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET 驱动器，能够 在 30 ns 之内，轻松地对 1000 pF 的门极电容进行充 电 / 放电。在开、关状态下，器件都具有足够低的阻抗， 确保MOSFET的期望状态不受影响，即便发生大的暂态 也不会影响期望状态。 封装类型 注 1：DFN 封装裸露的焊垫是电气绝缘的。 8 引脚 DFN(1) NC IN A GND IN B 2 3 4 5 6 7 81 1 2 3 4 NC 5 6 7 8 OUT A OUT B NC IN A GND IN B VDD TC4426A TC4427A TC4426A TC4427A NC OUT A OUT B VDD TC4426A TC4427A TC4428A NC OUT A OUT B VDD TC4428A TC4428A NC OUT A OUT B VDD TC4426A TC4427A NC OUT A OUT B VDD TC4428A NC OUT A OUT B VDD 8 引脚 MSOP/ PDIP/SOIC 2006 Microchip Technology Inc. DS21423E_CN 第 1 页

这本《 Arduino快速功率MOSFET驱动器食谱》演示了三种廉价的选项来驱动大型功率MOSFET的快速运行。