应用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备SiO2薄膜, 并用折射率来表征致密性。研究了SiO2薄膜致密性与射频(RF)功率、基板温度、腔内压强、N2O/SiH4流量比的关系。通过Filmetrics薄膜测厚仪F20测量了薄膜的折射率, 用聚焦离子束扫描电镜(FIB-SEM)测量了表面微结构。利用能量弥散X射线(EDX)分析薄膜中Si、O、N元素含量随工艺参数变化对致密性的影响。进行多因子实验设计(DOE), 得出了各种条件下最优的折射率与结构的生长条件, 并研究了SiO2薄膜致密性随工艺条件变化的机理。
2023-11-15 10:45:04
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本文介绍了常规的硅/玻璃阳极键合等离子体的研究按顺序增强化学气相沉积碳化硅（PE-SiC）作为中间层评估在应用PE-SiC作为器件钝化层之前的可行性基于粘合转移技术的包装粘合和构造层。 找到了这种键合的机理与传统的阳极键合相似。 作为PE-SiC 增稠，粘结强度下降； 同时，泄漏率保持在同一水平与硅/玻璃结合。 进一步的实验表明，键合增加了中间层的拉伸应力为70.7 MPa，应力梯度减小了24.6 MPaμm^ -1。
2022-05-23 15:21:42
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PECVD薄膜颗粒缺陷研究和改善 ，王铁渠，黄其煜，在半导体集成电路制造PECVD工艺中，经常会遇到薄膜颗粒缺陷问题。本论文总结了PECVD 中薄膜颗粒的类型和形成原因以及改善方法。PECVD��
2022-04-15 18:22:52
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