应用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备SiO2薄膜, 并用折射率来表征致密性。研究了SiO2薄膜致密性与射频(RF)功率、基板温度、腔内压强、N2O/SiH4流量比的关系。通过Filmetrics薄膜测厚仪F20测量了薄膜的折射率, 用聚焦离子束扫描电镜(FIB-SEM)测量了表面微结构。利用能量弥散X射线(EDX)分析薄膜中Si、O、N元素含量随工艺参数变化对致密性的影响。进行多因子实验设计(DOE), 得出了各种条件下最优的折射率与结构的生长条件, 并研究了SiO2薄膜致密性随工艺条件变化的机理。

opencv函数实现二值图像边缘细化操作

Rock thin sections identification based on improved squeeze-and

Enterprise “Thin” vs. Retail “Thick [教程]

有限元分析技术有时选用弯曲三角形有限元模型。 该模型的主要问题是单元几何边界条件的单元形状函数的连续性。 Adini 选择了第一个三角形弯曲单元形状函数； w(x,y)=[1 xyx**2 y**2 x**3 x**2*yx*y**2 y**3] 并且他忽略了“x*y”多项式参数。 尽管如此，有限元总共有九个自由度和形状函数十个参数的帕斯卡三角形描述。 有趣的是，Tocher 并没有忽略形状函数“x*y”项，他收集了统一弯曲参数“(x**2*y+x*y**2)”。 本区域第二个问题确定分析系统路径测试。 Adini 模型具有符合一维弯曲分析的补丁测试，但不符合二维分析。 Tocher 模型具有不合格的一维和二维弯曲分析。 有趣的有的分析是Sap2000（结构分析程序）做了一个补丁测试错误，这个错误非常大。 这个主要问题的三角板分析有解决方案 Bazely-Cheung-Irons-Z

将图像变形为标准坐标空间对于许多与图像计算相关的任务至关重要。 但是，对于多维和高分辨率图像，就计算机内存和计算时间而言，准确的变形操作本身通常非常昂贵。 对于诸如大脑映射项目之类的高通量图像分析研究，希望具有与常见图像分析管道兼容的高性能图像变形工具。 在本文中，我们介绍了LittleQuickWarp，这是一种快速且具有存储效率的工具，可以显着提高3D图像变形性能，同时具有与广泛使用的薄板样条线（TPS）变形相似的高变形质量。 与TPS相比，LittleQuickWarp可以将变形速度提高2到5倍，并将内存消耗减少6到20倍。 我们已将LittleQuickWarp实施为Vaa3D系统（http://vaa3d.org）上的一个开源插件程序。 可以在Vaa3D插件源代码存储库中找到源代码和简短教程。

Thin plate Spline（薄板样条差值）2D版本的java实现，在平面上按下鼠标，产生一个控制点，然后要按住鼠标拖拽，释放点为此控制点发生形变之后的对应点。（注意：一定要拖拽，单击鼠标是没有用的！）

8字轨迹matlab代码 项目说明 平台：Ubuntu 18.04 LTS，Matlab 2018b 文件：*.m文件即源代码，以及要求的2个变化图，程序运行main.m即可 注意： Ubuntu系统字符用UTF-8编码不同于Windows的GBK，已进行转换并在同学电脑测试可以正常显示，但是不知道中文注释还会不会出现乱码。 "第一个分离涡轨迹图"的x轴和y轴是不等比例的，是Matlab自己适应的，画出来的轨迹图波动比较明显，比较好看。而程序运行的动态图 x轴和y轴是等比例的，能明显看出涡的形状的动态变化。 程序的主要说明都在源码里面了。

径向基函数/薄板样条 3D 点集翘曲。 p3do = rbfwarp3d( p3d, ps, pd, varargin) 输入： p3d：3d 点集ps：3d 源地标 [n*3] pd: 3d 地标 [n*3] 方法： 'gau',r - 对于高斯函数 ko = exp(-|pi-pj|/r.^2); 'thin' - 对于薄板函数 ko = (|pi-pj|^2) * log(|pi-pj|^2) 输出： p3do：输出点集佛罗里达州布克斯坦“主要翘曲：薄板样条和变形的分解。” IEEE 翻译模式肛门。 马赫英特尔。 11, 567-585, 1989。

[wobject] = TPS3D(points, ctrlpoints,object) 输入： 点：控制点的旧位置ctrlpoints：控制点的新位置对象：源模板 输出： wobject：扭曲的源模板 所有输入和输出都是 NXD 矩阵。