局域结构畸变对Co2FeAl0.5Si0.5合金薄膜中磁有序的影响，叶双莉，翟敏，本文通过磁控溅射与原位真空退火，制备了一系列的Heusler合金Co2FeAl0.5Si0.5 (CFAS)，退火温度分别为350oC, 450oC, 550o和 650oC。利用XRD, 变温拉�

绒面ZnO透明导电薄膜，朱锋，薛玉明，采用孪生ZnO (Al2O3:2%)对靶直流磁控溅射制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜（迁移率为5.56 cm2/V•s，载流子浓度为4.57×1020cm-3，电阻�

射频磁控共溅射制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质，农剑，徐华蕊，以Li0.33La0.56TiO3（LLTO）与Li7La3Zr2O12（LLZO）粉末靶材为溅射源，用射频磁控共溅射的方法制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质。在室温条件下，其离�

采用电泳沉积法在Ti片上制备TiN薄膜,在450℃下保温60min制备N掺杂TiO2薄膜（N-TiO2薄膜）,然后在不同浓度的AgNO3溶液中利用光还原沉积法制备负载Ag的N-TiO2薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）对薄膜进行表征,通过测试瞬态光电流密度研究薄膜的光电性能,并以罗丹明B为降解目标物评价薄膜的光催化活性,重点研究了负载Ag对N-TiO2薄膜光电和光催化性能的影响规律。结果表明:AgNO3溶液浓度为0.05mol·L-1时,Ag的负载量最为适宜,N-TiO2薄膜的光电及光催化性能最佳;负载Ag的N-TiO2薄膜在可见光下的瞬态光电流密度约为N-TiO2薄膜的5.4倍;负载Ag显著提高了N-TiO2薄膜的光催化性能,经过可见光照射180min后,薄膜对罗丹明B的降解率达到98%。

异质界面对Ca(Mg1/3Nb2/3)O3/CaTiO3叠层介质薄膜结构和性能的影响，刘存金，周静，采用叠层方式制备出一定厚度的Ca(Mg1/3Nb2/3)O3/CaTiO3（CMN/CT）异质薄膜，研究叠层排布方式及异质界面个数对薄膜微观结构、形貌及介电性�

晶体学取向对0.90(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.10(Bi0.5K0.5)TiO3 薄膜压电和介电性能的影响，李朋，翟继卫，为了深刻的研究晶体取向对薄膜的压电和介电性能的影响，本文利用溶胶-凝胶法在(100)、(110)、(111)取向的Nb掺杂的SrTiO3单晶基片上制备了

掺杂铬（Cr）的氧化锌ZnO薄膜通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在420°C的温度下以不同的掺杂剂浓度沉积在玻璃基板上。 研究了铬浓度对薄膜的形态，结构，光学，电学和气敏性能的影响。 扫描电子显微镜结果表明，Cr的浓度对结晶度，表面光滑度和晶粒尺寸有很大的影响。 X射线衍射（XRD）研究表明，薄膜本质上是多晶的，并以六方纤锌矿结构生长。 从光学测量获得3.32至3.10 eV的直接光学带能隙。 发现透射率随着Cr掺杂浓度的增加而降低。 卢瑟福背散射光谱（RBS）分析还表明，Cr离子可替代地掺入ZnO中。 薄膜的IV特性显示，室温下的电阻率范围为1.134×10-2·cm至1.24×10-2·cm。 通过在最佳工作温度约为200°C的条件下掺入Cr作为掺杂剂，可以增强薄膜的气体传感响应。

已经通过各种技术（X射线衍射，IR-TF光谱，扫描电子显微镜，拉伸试验和耐热性）研究了用高岭土和偏高岭土增强的淀粉基塑料薄膜的结构和热机械性能。 所得结果表明，惰性材料高岭土可防止淀粉失去其颗粒状结构并在加热过程中溶解，从而产生低杨氏模量（7 MPa）的塑料膜。 另一方面，偏高岭土是将高岭土在700℃加热1小时后得到的无定形和脱羟基的材料，大大改善了塑料膜的热机械性能。 杨氏模量从19 MPa增加到25 MPa，而热阻从90°C增加到120°C。 这归因于在加热过程中淀粉的粒状结构损失之后偏高岭土在聚合物基质中的良好分散。

硫化锌（ZnS）薄膜由于其在新一代纳米电子和光电设备中的潜在应用而吸引了越来越多的关注。 ZnS的物理和化学性质对于不同的应用具有卓越的质量。 而且，掺杂有各种元素的ZnS正在为学术研究和工业应用创造一个新时代。 因此，改性ZnS薄膜的光学性质将有助于我们找到合适的掺杂元素以方便沉积，从而可以提高薄膜的电导率和透射率。 进行这项审查工作是为了探索构成Cu，Ni，Co和Fe的四种变质元素，它们是对应于Zn的原子序数从高到低的顺序，同时考虑到近期与其他掺杂元素一起进行的研究工作，还发现了一些潜在的应用，例如Al，C，Pt等。例如，FE，FET，催化，太阳能电池，电致发光，燃料电池，各种传感器（化学传感器，生物传感器，湿度传感器，光传感器，UV光传感器）和纳米发电机均使用ZnS薄膜。

高收缩聚酯薄膜的合成及性能研究，袁雪，陈昭军，本实验运用自制的反应装置,通过添加第三单体的方法对PET进行了共聚改性, 使改性聚酯的结晶能力降低，获得在通常情况下不能结晶的PET