由于IR2110内部不能产生负电压，因此在采用零电压关断IGBT时容易产生毛刺干扰，对此研究了IGBT体寄生二极管反向恢复过程，并结合IGBT的输入阻抗米勒效应，分析出IR2110零电压关断毛刺干扰产生原因，最后对IR2110典型零电压关断电路进行改进，设计一种带负充电泵的IR2110关断电路。经实验验证，该电路可有效解决IR2110的零电压关断毛刺干扰问题，保证逆变器的工作稳定性。

介绍IR2110驱动模块的特点，针对其存在的一些不足，给出相关解决方案。设计相应的优化驱动电路，较好地改善IR2110的驱动和保护性能，增强其实用性。

IR2110驱动半桥电路图,详细的资料说明,驱动cmos,

针对IGBT的半桥或者全桥的驱动，利用具有双通道集成驱动的IR2110来驱动IGBT。对其自举工作原理进行了分析，同时增加了栅极电平箝位电路，克服了IR2110不能产生负偏压的缺点，并在2 kW、400 V汽车直流充电器中以此驱动IKW40N120T2电路的试验中验证了其理论分析的正确性。

功率器件的源极做直接连接，来返回门驱动电流，这种做法将在第5节看到。如果Vcc低于所规定的值（通常为8.6/8.2V），欠压锁定有效，进入欠压保护。当UV锁定释

DC/AC正弦波逆变器IGBT方式逆变器资料含IR2110 IBGT驱动资料

基于IR2110的全桥驱动电路原理图原理图+PCB

为了解决直流电机转向及速度控制问题，设计了一种H桥驱动电路。以IRF530为开关元件、IR2110为栅极驱动芯片，由DSP产生PWM信号，经过光耦隔离和逻辑电路后送至IR2110进行控制。给出了整体驱动控制电路、上下桥臂的栅源电压波形、上桥臂的浮动电压信号以及电机两端的运行电压信号。测试分析表明，该方案很好地实现了电机的正反转控制及电机速度调节，电机运行平稳，达到了设计要求，对直流电机控制应用具有较高的参考价值。

在功率变换装置中，根据主电路的结构，其功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式。采用隔离驱动方式时需要将多路驱动电路、控制电路、主电路互相隔离，以免引起灾难性的后果。隔离驱动可分为电磁隔离和光电隔离两种方式。 光电隔离具有体积小，结构简单等优点，但存在共模抑制能力差，传输速度慢的缺点。快速光耦的速度也仅几十kHz。 电磁隔离用脉冲变压器作为隔离元件，具有响应速度快（脉冲的前沿和后沿），原副边的绝缘强度高，dv/dt 共模干扰抑制能力强。但信号的最大传输宽度受磁饱和特性的限制，因而信号的顶部不易传输。而且最大占空比被限制在50％。而且信号的最小宽度又受磁化电流所限。脉冲变压器体积大，笨重，加工复杂。 凡是隔离驱动方式，每路驱动都要一组辅助电源，若是三相桥式变换器，则需要六组，而且还要互相悬浮，增加了电路的复杂性。随着驱动技术的不断成熟，已有多种集成厚膜驱动器推出。如EXB840/841、EXB850/851、M57959L/AL、M57962L/AL、HR065 等等，它们均采用的是光耦隔离，仍受上述缺点的限制。 美国IR 公司生产的IR2110 驱动器。它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。

介绍了IR2110 的内部结构和特点，高压侧悬浮驱动的原理和自举元件的设计。针对IR2110 的不足 提出了几种扩展应用的方案，并给出了应用实例。