内容概要:《深入浅出DDR》是由朱工编写的电子书,旨在弥补之前《UEFI BIOS&APP编程开发查询》一书内容过于复杂、阅读门槛高的不足,专注于DDR内存的讲解。全书按入门、进阶、高阶、深度剖析的顺序逐步深入,涵盖DDR内存的基本原理、市场现状、内存芯片介绍、内存模组介绍、故障类型、测试算法、颗粒测试、故障分析、JESD标准解读、ECC纠错机制、地址解码及PPR修复等内容。书中不仅详细介绍了DDR3、DDR4、DDR5及LPDDR系列的技术演进,还提供了大量测试方法和故障排除工具,帮助读者全面了解DDR内存。 适合人群:存储类型公司的研发部门、QC部门、销售部门、业务部门、仓管部门、测试验证部门、公司产线部门的员工,以及对DDR内存感兴趣的工程师和技术爱好者。 使用场景及目标:①帮助公司内部不同部门员工对DDR内存形成系统化认知;②为从事DDR内存相关工作的技术人员提供详细的理论知识和技术指导;③为研发人员提供故障排查和测试工具的具体使用方法。 其他说明:此书以循序渐进的方式编写,从基础概念到高级应用,适合不同层次的读者。书中包含大量图表和实例,便于理解和实践。此外,作者还提供了微信联系方式(lahmyyc638),方便读者交流和反馈。
2025-08-09 11:25:39 375KB DDR内存 内存测试 故障分析 ECC纠错
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4bits 纠错ECC BCH算法源代码 以及很难得的三星4GB MLC nand flash 芯片资料 4bits 纠错ECC BCH算法源代码 以及很难得的三星4GB MLC nand flash 芯片资料
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4bits 纠错ECC BCH算法源代码 以及很难得的三星4GB MLC nand flash 芯片资料
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NAND_flash的控制器代码,能够较好的实现读写擦除的功能,同时带有ECC的纠错模块,这样使得该部分更具趋于完全
2021-09-28 14:08:08 1.51MB joinedss1 NAND ECC纠错 nandflash
基于FLASH的ECC纠错算法,ECC原理,校验流程,结果分析
2021-07-11 20:00:43 127KB ecc flash 纠错 硬件
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基于BCH码的ECC纠错算法,可纠正2位错误码,供参考
2021-04-15 18:04:25 17KB BCH 编码器 纠错
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在 STM32 单片机上,成功移植 FatFs 0.12b,使用的 Nand Flash 芯片为 K9F2G08 。 特点: 系统配合 FatFs 实现了擦写均衡,坏块管理,硬件ECC,软件 ECC 纠错
2019-12-21 19:32:43 1.02MB STM32 FatFs移植 擦写均衡 坏块管理
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