1. 发送地址和命令 CPU发送地址和命令： 当CPU需要访问LPDDR5中的数据时，首先发送一个地址和相应的命令（读取或写入命令）到内存控制器。 2. 地址解码和行选通 行地址选择： LPDDR5根据接收到的行地址（RAS信号）选择特定的行。 行选通延迟（tRCD）： 从RAS信号发出到CAS信号发出之间的时间延迟。这段时间内，LPDDR5准备选中的行开始处理。 3. 选中行并准备数据 列地址选择和数据准备： LPDDR5接收到列地址（CAS信号），选中特定的列以准备读取或写入数据。 CAS延迟（CL）： 从CAS信号发出到可以读取或写入数据之间的时间延迟。这个时间取决于LPDDR5的CL值。 数据传输准备： DQS（Data Strobe）： 用于在数据传输时同步和锁存数据的信号。 DQM（Data Mask）： 数据屏蔽信号，指示哪些数据位应该被忽略或不处理。 CK（Clock）： 时钟信号，用于同步数据传输的时序。 PREFETCH： LPDDR5采用了32倍prefetch技术，每个存储周期内能够同时传输32个数据位，提高了数据吞吐量。 4. 数据传输和操作时序 数据 ### DDR5内存关键技术参数与工作流程详解 #### 一、DDR5内存的工作流程与关键参数解析 ##### 1. 发送地址和命令 - **CPU发送地址和命令**：CPU在需要访问LPDDR5内存中的数据时，首先通过内存控制器向内存发送一个地址和相应的命令（读取或写入）。这一过程是所有数据读写操作的基础。 ##### 2. 地址解码和行选通 - **行地址选择**：LPDDR5根据接收到的行地址（RAS信号）选择特定的行。 - **行选通延迟（tRCD）**：从RAS信号发出到CAS信号发出之间的时间延迟。在这段时间内，LPDDR5准备选中的行以进行后续的数据读写操作。 ##### 3. 选中行并准备数据 - **列地址选择和数据准备**：LPDDR5接收到列地址（CAS信号），选中特定的列以准备读取或写入数据。 - **CAS延迟（CL）**：从CAS信号发出到可以读取或写入数据之间的时间延迟。这个时间取决于LPDDR5的具体规格。 - **Prefetch技术**：LPDDR5采用了32倍Prefetch技术，即每个存储周期内能够同时传输32个数据位，显著提高了数据吞吐量。 - **突发数据传输**：突发长度（Burst Length）为8或16，决定了在一次行选通后可以连续传输的数据量。 ##### 4. 数据传输和操作时序 - **DQS（Data Strobe）**：用于在数据传输时同步和锁存数据的信号。 - **DQM（Data Mask）**：数据屏蔽信号，指示哪些数据位应该被忽略或不处理。 - **CK（Clock）**：时钟信号，用于同步数据传输的时序。 - **DLL（Delay Lock Loop，延迟锁存器）**：用于控制数据信号的延迟，确保数据的正确读取和写入。 - **SKEW（数据偏移）**：不同数据信号到达时间的差异，需要通过调整来保持同步。 - **Setup Time**：数据在有效触发沿到来之前数据保持稳定的时间。 - **Hold Time**：数据在有效触发沿到来之后数据保持稳定的时间。 ##### 5. 预充电和刷新过程 - **预充电（Precharge）**：在进行下一次读取或写入操作之前，LPDDR5会对未使用的存储单元进行预充电，清空存储单元中的电荷状态。 - **1.2VCC比较刷新过程**：LPDDR5在工作时会定期进行行的刷新操作，以保持存储单元的电荷状态，防止数据丢失。 ##### 6. 特殊信号处理 - **ODT（On-Die Termination）**：内存总线终端，用于匹配信号阻抗以减少反射和功耗。 - **ZQ（ZQ Calibration）**：ZQ校准信号，用于在LPDDR5初始化阶段对内部的电阻进行校准。 #### 二、具体参数与应用示例 假设LPDDR5的参数如下： - CL = 18 - tRCD = 20 - tRP = 24 - tRAS = 45 - 数据传输速率 = 6400 MT/s - 工作电压 = 1.1V **当CPU发出读取命令时的操作流程示例：** 1. 内存控制器发送RAS信号选中行，等待tRCD（20个时钟周期）后发送CAS信号选中列。 2. 根据CL（18个时钟周期），LPDDR5准备好数据并通过DQS同步和锁存。 3. 数据通过DQM进行掩码处理，同时使用CK进行时钟同步。 4. 在读取数据过程中，LPDDR5保持选中行在tRAS（45个时钟周期）内活跃状态。 5. 每次操作后，LPDDR5通过tRP（24个时钟周期）进行预充电，为下一次操作做准备。 #### 三、结论与展望 以上流程详细描述了LPDDR5的工作原理和关键参数在实际操作中的应用。理解这些参数如何影响LPDDR5的性能和操作流程，有助于优化系统内存的管理和数据访问效率，提高系统整体性能。LPDDR5作为最新一代的低功耗内存标准，通过提供更高的带宽、更低的延迟和更高的能效比，满足了现代移动设备和高性能嵌入式系统对内存需求的挑战。 ### 扩展阅读与深入理解 为了更深入地理解LPDDR5内存及其工作流程，还可以关注以下内容： - **DDR5与DDR4的区别**：对比两种内存标准之间的差异，了解DDR5带来的改进和技术革新。 - **DDR5的物理设计**：了解DDR5内存模块的物理结构，包括引脚布局、电源管理等方面的特点。 - **DDR5的未来发展趋势**：探讨DDR5内存技术的发展趋势，以及它在未来计算领域中的应用前景。 - **实际案例分析**：通过分析具体的硬件平台或应用程序，深入了解DDR5内存的实际应用效果和优势。 通过这些内容的学习，可以进一步加深对DDR5内存技术的理解，并将其应用于实际工作中，提升系统的整体性能和效率。

包括DDR2、DDR3、DDR4、DDR5规范，此外还有测试指导、layout指导，硬件设计指导。

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包括板材选择、线宽、线间距、阻抗设计等

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DDR2 DDR3 DDR4 FBGA内存ALTIUM PCB封装库, 3D封装库，型号列表如下： Component Count : 4 Component Name ----------------------------------------------- DDR2 WBGA84 DDR3_FBGA78 DDR3_FBGA96 DDR4_FBGA96

**重要提醒: 解读已更新到v3, 最后更新时间2021-7-18 194945** 此文档对于JESD标准DDR3做中文解读，轻松理解DDR3标准。 为何有此文档? > 笔者曾经在dram领域摸爬滚打数年，深深感受到spec标准文档的理解直接影响到dram知识技术的认知和层次，理解spec文档将极大提高dram水平。数年经验化成一篇解读，不要让时间浪费在不断地寻找spec标准含义的过程中，而是站在经验者之上更上一层楼！ 祝每个看过此文档的人都可以为"被某国打压的dram技术"增加技术储备！ 解读示例: 1 CK_t和CK_c代表什么? > CK_t: CK True, 代表差分信号的正极性clock, 也就是"真"clock/主clock; CK_c: CK Complement, 代表差分clock的负极clock. 2 CKE和CK的区别： > CKE是指dram clock时钟 enable与否，注意它和上面的CK有本质区别，CKE可以 理解为是颗粒侧的时钟，但CK是controller和dram交互的时钟。 CK如果没有了，CKE没有意义。但CK如果有，CKE可有可无。 CKE拉低，颗粒进入power down模式，可以节省功耗。 3 ZQ为什么一般是240欧姆呢? > 因为一般dram都是通过并联电阻实现设置为指定的电阻值，一般工业级的电阻值 是34, 40, 60, 80, 120欧姆，取最小公倍数，即240欧姆! ......还有更多... ** 本文档不仅仅是DDR3 spec标准文档，而是spec的注释解读 ** ** 翻译成中文? 当然不是翻译, 翻译放到网站上随便都可以翻译出来，此文是带着理解的解读! 深挖spec内部的原理，让您事半功倍！不要被spec卡住您的前途！ ** 因为解读是注释，即文中黄色或绿色下划线的注解，试读看不到，正在想方法如何显示给大家看。 ** 行业标准： 作者有数年spec经验. ** 专业: 数年dram问题debug，spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问，可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意，可线下联系作者申请退款，作者就有这样的自信敢承诺！ ** 更新: 不定期进行文档更新，保证每读一遍都有不一样的感受。 ** 再次提醒: 试读看到的是标准DDR3 spec, 批注注释才是本文档的价值所在!! 千万不要以为仅仅是DDR3 spec!!

JESD标准规范，包括DDR、DDR2、DDR3、DDR4四种内存颗粒的设计规范

Xilinx官方文档，讲的是UltraScale系列FPGA的存储器IPcore。主要有DDR3/DDR4,LPDDR3,QDR等存储器接口控制协议IPcore，相似于老版本vivado或ISE的MIG(Memory Interface Generator)，此文档的IPcore讲的IPcore本质上也是MIG

如何查看电脑内存条是DDR几代？