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spyglass/lint/cdc user guide
spyglass 做cdc、lint、power分析的Userguide,包含 1、spyglass cdc、lint、power分析使用流程; 2、spyglass cdc、lint、power分析的规则、methodology、goal等介绍 3、SpyGlass_Explorer_UserGuide、SpyGlass_LintRules_Reference、SpyGlass_LowPowerRules_Reference、SpyGlass_ClockResetRules_Reference、SpyGlass_ConstraintsRules_Reference、SpyGlass_AreaRules_Reference等
2025-11-27 21:26:47
153.52MB
spyglass
lint
功耗分析
1
芯片
功耗分析
理论知识讲解(二)
### 芯片
功耗分析
理论知识讲解(二) #### NLDM与CCS模型解析 在集成电路设计领域,为了确保电路的功能性和效率,时序分析是不可或缺的一环。特别是随着技术节点不断缩小,传统方法逐渐暴露出局限性,新型模型如NLDM(非线性延迟模型)和CCS(复合电流源)应运而生。本文将详细介绍这两种模型,并探讨它们在集成电路设计中的应用。 ##### 一、NLDM模型 **1.1 NLDM概述** NLDM模型是在65nm及之前的工艺节点中广泛使用的一种时序分析方法。它分为两部分:驱动模型(Driver Model)和接收器模型(Receiver Model)。 **1.1.1 NLDM驱动模型** NLDM驱动模型用于描述单元从输入到输出的延迟以及输出的转换时间。具体来说: - **Delay Threshold**: 定义为输出信号达到VDD的50%电压点时的时间。 - **Transition Threshold**: 包括上阈值(如70%)和下阈值(如30%),用来确定信号边沿的转换时间。 在.lib文件中,NLDM驱动模型是以二维查找表的形式出现的,其中输入转换时间和输出负载作为索引。 **1.1.2 NLDM接收器模型** NLDM接收器模型通常被简化为一个等效电容,用于模拟单元的负载特性。值得注意的是,不同边沿(上升和下降)对应的电容值可能不同。 **1.1.3 NLDM遇到的问题** 尽管NLDM在早期技术节点上表现良好,但随着工艺节点的减小,其准确性受到了挑战。主要原因包括: - **金属连线电阻增加**:在先进节点中,金属连线的电阻变得更大,这导致电压源模型失真。 - **Miller效应增强**:随着工艺节点的减小,Miller效应变得更加显著,单一的电容值已不足以准确描述实际状况。 ##### 二、CCS模型 为了解决NLDM模型在先进工艺节点上遇到的问题,CCS模型被提出。它同样包含驱动模型和接收器模型两个组成部分。 **2.1 CCS驱动模型** CCS驱动模型的核心在于描述流入负载电容的电流值。该模型采用内部无限电流源的概念,即使在网络电阻非常高的情况下也能保持高精度。其参数包括输入转换时间和输出负载。 **2.2 CCS接收器模型** 与NLDM不同,CCS接收器模型考虑了网络电阻的影响,更准确地模拟了实际工作条件下的行为。这种改进使得CCS模型能够更好地应对先进工艺节点带来的挑战。 **2.3 CCS的优势** 相比NLDM,CCS模型具有以下优势: - **精度提高**:尤其是在处理高电阻网络时,CCS模型能更准确地反映实际情况。 - **Miller效应建模**:CCS模型能更有效地模拟Miller效应,这对于评估电阻较小的网络尤为重要。 - **适应性更强**:随着技术节点的发展,CCS模型的优越性更加明显,特别是在低纳米尺度的设计中。 ### 结论 随着集成电路设计不断向更小的技术节点发展,传统的时序分析方法面临着新的挑战。NLDM和CCS作为两种重要的时序分析模型,在不同的工艺节点上表现出不同的适用性和准确性。对于设计师而言,理解这些模型的工作原理及其适用场景至关重要。未来,随着技术的进一步进步,预计将有更多创新的模型和技术出现,以满足不断变化的设计需求。
2025-10-13 14:48:54
1.53MB
功耗分析
PTPX
1
CMOS电路的
功耗分析
及基于PSPICE模拟的功耗估计
在超大规模集成电路( VLSI) 设计中, 随着深亚微米技术的应用、芯片集成度的不断提高以及 系统工作频率的加快, 均导致了集成电路的功耗越来越大. 而功耗的增大, 一方面影响了依赖电池 供电的便携式设备的使用, 另一方面芯片的过热也使系统的可靠性降低. 这使得低功耗设计技术日 益成为VLSI 设计者关注的热点. 美国半导体工业联合会在1992 年已确认低功耗技术是当前集成 电路设计的一个紧急技术需要。
2023-04-06 12:49:15
231KB
PSPICE
功耗
1
工作积累(11)-android
功耗分析
NULL 博文链接:https://410063005.iteye.com/blog/1624334
2022-10-24 07:17:13
14KB
源码
工具
1
具有
功耗分析
的 6T 和 8T SRAM 单元仿真-研究论文
降低 VLSI 电路的功耗是当今的首要问题。 存储电路在电子小功率器件的设计中起着重要作用。 几乎每个数字系统都将内存作为其设计的重要组成部分。 高速电路在短时间内耗散大量功率。 在本文中,对传统 SRAM 单元进行了少量修改以降低动态功耗。 通过添加几个额外的晶体管,总电容降低了。 由于位线的充电和放电消耗的功率最大,因此可以使用6T单元和8T单元,通过在下拉路径中增加额外数量的晶体管来降低功率。 本文模拟了 6T SRAM 单元和 8T SRAM 单元,并比较了它们在功耗方面的性能。
2021-11-24 16:35:34
256KB
Power
dissipation
SRAM
1
MTK平台
功耗分析
手册
本文档主要介绍MTK 平台
功耗分析
相关Debug手段,以及遇到这种问题客户端需要先梳理的部分。 希望读者看到该文档之后,遇到问题能先做第一手的分析,根据文档做初步的Debug,同时也能增长您处理功耗问题的技能.
2021-11-11 15:52:55
1.43MB
MTK
功耗
智能机
1
DDR3
功耗分析
及工具说明文档
DDR3
功耗分析
及工具说明文档
2021-10-22 15:17:18
900KB
DDR3功耗分析
1
PT
功耗分析
流程
项目需要使用PTPX看一下工程的功耗,写了一个使用PTPX做
功耗分析
的流程。
2021-08-23 11:12:57
564KB
Prime
Time
Power
Analys
1
针对密码芯片的相关性
功耗分析
实验平台研究.pdf
针对密码芯片的相关性
功耗分析
实验平台研究.pdf
2021-07-26 13:03:27
1.42MB
芯片
硬件开发
电子元件
参考文献
论文研究-AES密码电路抗差分
功耗分析
设计.pdf
针对差分
功耗分析
(DPA)攻击的原理及特点,分析了高级加密标准(AES)的DPA攻击弱点,采用掩盖(Masking)的方法分别对AES算法中字节代换部分(SubBytes)及密钥扩展部分进行了掩盖,在此基础上完成了AES抵御DPA攻击的FPGA硬件电路设计。通过对该AES的FPGA电路的差分功耗攻击实验验证,该方法能够很好地抵抗DPA攻击。
2021-07-04 23:30:45
598KB
论文研究
1
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