pin光电二极管原理_pin光电二极管i层作用

上传者: 38653694 | 上传时间: 2022-04-26 10:08:08 | 文件大小: 98KB | 文件类型: PDF
pin光电二极管原理
PIN型光电二极管也称PIN结二极管、PIN二极管,在两种半导体之间的PN结,或者半导体与金属之间的结的邻近区域,在P区与N区之间生成I型层,吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。
在上述的光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的I型半导体,就可以增大耗尽区的宽度,达到减小扩散运动的影响,提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低,近乎本征(Intrinsic)半导体,故称I层,因此这种结构成为PIN光电二极管。I层较厚,几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体,P层和N层很薄,吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位,这就大大加快了响应速度。

PIN光电二极管结构
在P型半导体和N型半导体之间夹着一层本征半导体。因为本征层相对于P区和N区是高阻区这样,PN结的内电场就基本上全集中于 I 层中。

pin光电二极管i层作用
本征层的引入,明显增大了p+区的耗尽层的厚度,这有利于缩短载流子的扩散过程。耗尽层

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