在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做PIN光电二极管中的I层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征层的光电二极管［37～38］。 　　图1  基极－集电极形成的PIN光电二极管 　　高速双极工艺中N型外延层厚度大约在1 gm左右，这样小的厚度会使得探测器在黄色到红外光谱范围（580～1100 nm）内量子效率较低。而光脉冲信号引起的光生电流的上升时间和下降时间同样会由于薄外延层的原因变得非常短，从而有利于改善响应速度。这种光电二极管的数据传输能力可达到10 Gb/s，但是其在肛8

滨松光电二极管具有超宽光谱范围，从近红外紫外到高能区域的光谱皆可覆盖。滨松光电二极管提供多种类型的封装模式，如金属封装、陶瓷封装、塑料封装以及模块类型。如有需求，可定制。本文档介绍了滨松光电二极管的典型应用电路。

光电二极管阵列检测器

基于近弹道优化的方法提出了一种高性能的单行载流子光电二极管(UTC-PD)的设计方案,用该方案制备的UTC-PD具有大的响应速度、响应度和饱和输出,且可减轻负载电压摆幅效应。设计的新光电二极管采用具有渐变掺杂的部分耗尽吸收层。在收集层底部插入p型掺杂薄电荷层,对器件内部电场进行了优化设计,让光生电子以过冲速度漂移,这样可减少电子的渡越时间,并使器件具备了高偏置电压操作能力,从而增大3 dB带宽,提升饱和性能。仿真分析表明,在8 V的高反向偏置电压条件下,有源区面积为16 μm 2的该器件可以获得超过86 GHz的3 dB带宽,响应度为0.17 A/W。

本文将分析并通过模拟验证这种典型应用电路的稳定性及噪声性能。首先探讨电路工作原理，然后如果读者有机会的话，可以运行一个SPICE模拟程序，它会很形象地说明电路原理。以上两步是完成设计过程的开始。第三步也是最重要的一步（本文未作讨论）是制作实验模拟板。

前置放大器的电路设计图前置放大器的电路设计图信号调理电路采用±5 V电源供电，功耗仅为40 mA，适合便携式高速、高分辨率光强度应用，如脉搏血氧仪。信号调理电路

本文提供的参考设计用于实现APD偏置电源及其电流监测。基于MAX15031 DC-DC转换器，该电路能够将2.7V至11V范围的输入电压经过DC-DC电源转换器后得到一个70V、4mA电源。 本文列出了参考设计的主要规格、详细的原理图以及材料清单。 设计规格与配置 2.7V至11V较宽的输入电压范围 70V输出电压 4mA输出电流 400kHz固定开关频率 -40°C至+125°C工作温度范围 微型、8mm x 12mm电路板尺寸

TI官方提供的跨阻放大器设计资料，涵盖了电流-电压转换跨阻放大器所需要考虑的方方面面的问题，是不可多得的设计资料，TI的工程师所写的技术文档思路清晰，逻辑缜密，非常值得学习。欢迎论坛内的模拟电路工程师们一起留言讨论！

在用于光检测的固态检波器中，光电二极管仍然是基本选择。光电二极管广泛用于光通信和医疗诊断。其他应用包括色彩测量、信息处理、条形码、相机曝光控制、电子束边缘检测、传真、激光准直、飞机着陆辅助和导弹制导。

光电二极管实用电路，详细的解释，可以直接应用的实际电路处理中，老外牛人做的。