文档包含了MOS管的模型的参数、以及遵从的数学公式。除此之外，不仅有针对MOS管的模型还有针对一些其他器件的模型，比如LTPS TFT（LEVEL 62）

主要讲述了MOS管的驱动，很有用，对MOS管的驱动过程，MOS管的原理讲解的很投诚

电路介绍 用于参加恩智浦智能车大赛的电机驱动板，双电mos管机驱动，相较于BTN79xx系列驱动，mos驱动的输出更大，驱动能力更强，反应也更为快速。 使用器件 半桥驱动器 IR2184S资料 mos管 IRLR7843资料 升压 B0512S-1W资料 显示 0.96寸OLED资料 隔离电路 SN74HC244PW资料 注:芯片的数据手册等信息可以在集成电路查询网站搜索https://www.datasheet5.com/ 芯片询价和在线购买链接https://www.bom2buy.com/ 功能 实现双电机的控制，驱动力强大，即使是功率最大的B车模电机也不在话下。 板载一块0.96寸OLED，方便调试时显示参数，同时节省的主板的空间。 有四位拨码开关和五个按键，可以用于参数输入和模式设置。 蜂鸣器，作为程序的提示flag,调试用。 设计心得 智能车的驱动板，主要功能部分就三个:升压，半桥或全桥控制，mos开关。明白了这三个部分，就可以随意组合设计电路，比如升压我可以用LM2577，mc34063，LMR62014等，控制器用HIP4082，都没问题。还有就是在布线时，最需要注意的是线宽，因为只是电机驱动，过得电流比较大，所以电机电流线需要走宽线，120mil也不为过，还可以开窗，上厚锡。 附件内容截图:

第一部分 最大额定参数 最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性. VGS 最大栅源电压 VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。 ID - 连续漏电流 ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数： ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。 I

mos管开关电路图（一） 图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，由于Q1是一个P沟道管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作不开机！这时，如果我们按下SW1开机按键时，正电通过按键、R11、R23、D4加到三极管Q2的基极，三极管Q2的基极得到一个正电位，三极管导通（前面讲到三极管的时候已经讲过），由于三极管的发射极直接接地，三极管Q2导通就相当于Q1的栅极直接接地，加在它上面的通过R20电阻的电压就直接入了地，Q1的栅极就从高电位变为低电位，Q1导通电就从Q1同过加到3v稳压IC的输入脚，3v稳压IC就是那个U1输出3v的工作电压vcc供给主控，主控通过复位清0，读取固件程序检测等一系列动作，输处一个控制电压到PWR_ON再通过R24、R13分压送到Q2的基极，保持Q2一直处于导通状态，即使你松开开机键断开Q1的基极电压，这时候有主控送来的控制电压保持着，Q2也就一直能够处于导通状态，Q1就能源源不断的给3v稳压IC提供工作电压！SW1还同时通过R11、R30两个电阻的分压，给主控P

MOS管驱动电路部分知识总结

密勒电容、密勒效应的理解和总结

MOSFET管优势 　　1.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 　　2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 　　3.可以用作可变电阻。 　　4.可以方便地用作恒流源。 　　5.可以用作电子开关。 　　6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。

MOS管选型

如何用单片机控制220V交流电的通断 首先来说，220V交流电的负载是多大，是感性负载负载还是阻性负载，正常输出功率是多大等这些都要考虑进去。 1、对于阻性负载 比如普通的灯泡，一般是30到40W左右，如果用220V交流电来控制通断，简单点的就用一个双向可控硅直接控制，BT137电流达到7A，耐压值600V，驱动灯泡足够了 也可以加一个光耦 2、对于感性负载 比如电动机，因为它的内部有线圈，100W的电动机在启动的时候可能达到1000W，因此这类电器电路就要加多一个阻容吸收电路，必要时候同时加一个压敏电阻，可以使10471，根据实际间距选择合适的压敏电阻，因为瞬导通时候电压很高，这样就有起到过压保护，以防一通电或者关断时候产生感应电动势产生的电压把可控硅击穿，有时候还会串联一个电感。 使用可控硅三极管MOS管的单片机控制220V交流电通断电路图解 使用单片机控制220V交流电的通断，方法非常多。使用继电器是最方便的，但是继电器通断会有声音，很不好，而且继电器有次数限制，容易坏。题主也说明不用继电器，下面提供几种方法吧，供大家参考。 （1）使用双向可控硅，注