本书为模拟集成电路的分析与设计(第四版)中文版，作者为Paul R.Gray. 本书是模拟集成电路方面的优秀书籍。英文版非常值得阅读。

西南交通大学模拟集成电路设计实验报告 包含： 实验一 MOS管基本特性测试 3 实验二 跨导参数 gm 分析 3 实验三 沟道长度调制系数λ以及体偏置系数γ分析 8 实验四 MOS管共源放大电路分析 12 实验五 电流镜电路分析（1） 15 实验六 电流镜电路分析（2） 19 实验七 差动放大器研究 25 实验八 差动放大器研究 29

北邮13级，CMOS实验的所有实验的实验报告，内包含电路图，图中有电路的详细参数，此文档为本人最终交给老师的最终文档

模拟集成电路设计精粹 中文完整版

模拟集成电路设计精粹 第1-10章，不用再买书啦

1、将示例电路中的电阻更换为 15k，对电路进行 DC 分析，请问该电路能获 得的最高增益是多少？对应的输入直流电压为多少？ 增益A=1.431\1.313=1.09 Vin=1.313v 2、将示例电路中晶体管按比例放大至 W/L=4u/700n, 在输入为 1.2V 的情况 下做 DC 分析，请比较尺寸改变前后晶体管工作点中的关键参数有何变化？ 原来的关键参数点： 4u/700n关键参数点：

1、对示例电路进行瞬态仿真时，输入信号采用阶跃信号（Vpwl），阶跃信号 从 990mV 阶跃到 1010mV，上升（或下降）时间设置为 1ns。给出输入输出信号 的仿真波形； 分析输出信号建立到约最终值 63% 时对应的建立时间；这一建立 时间与示例中 AC 仿真中的-3dB 频率有何关联，通过仿真和计算说明。 说明： Voutmax=1.033V Voutmin=759.2mV Vout63%=916.27mV 对应的建立时间t=0.5013ns -3dB对应的频率为1345.360MHz f=1/t=1956.236MHz 这一建立时间与示例中 AC 仿真中的-3dB 频率近似 2、将示例中电路的负载电阻更换为二极管连接形式的 P 管，尺寸为 W/L=20u/350n，通过直流扫描找到增益最大的工作点。在此工作点下进行瞬态 仿真（输入采用正弦波）及交流仿真，比较该交流仿真得到的增益结果与示例中 得到的增益大小。 电路图：

1、 在对示例中的电路进行零极点分析后，通过必要的仿真确认输出极点及输入极点的值分别为多少？ 答：如下所示 电路图 输入极点仿真结果 得到输入极点值为-1.19、-2.35、-7.73 输出极点 由图可得，输出极点值为-8.96、-1.19、-2.35、-7.73. 2、 若将示例中负载电阻改为 10k 和 30K，通过仿真分析电路的零极点及输 出噪声有何变化。观察输出噪声积分区间为（1Hz，100kHz）（1MHz，100MHz）时噪声的主要来源有何不同? 当负载电阻为10K：

一、 运放原理图及Symbol 建立 1. 最大增益为：49.29；输出偏置电压为2.03V；对应的输入offset为：-1.852e-3V 规定输出的偏置电压为2.124V 衰减到-3dB后，差模取值的范围为：-0.027~-0.016V 输出摆幅为：921.34mV~2.47V 2、功耗为：653.758uW 3、相位裕度为87.67（Deg），单位增益频率为：144.148MHz。 4、共模增益Acm=4.580e-8，所以CMRR=49.2958

一、一阶工艺参数的提取 1. Bsim4 模型中的 mos 管共包含多少个参数？ 答：297 2. 找到栅氧化层厚度 toxref，计算单位面积的栅氧化层电容（介质为 SiO2， 计算结果以 fF/μm2为单位）。 答：Cox=11.5fFd/um^2 3. 低压 NMOS（cell name 为 nmos2，model name 为 nch）尺寸为 10μ/0.18μ， 漏源电压为1.8V，在栅源电压分别为1V和1.5V时仿真出器件的漏电流。 在此两组数据的基础上根据长沟道模型计算出 unCox(W/L)及 VTHN 答：栅源电压为1V时，如图 栅源电压为1.5V时，如图 由公式id=1/2unCoxw/l(VGS-VTH)^2可以得到： VTH=1.2V 4. 根据第 3 问得到的参数，在漏源电压为 1.8V，栅源电压为 1.2V 时重新计 算漏电流的大小。将此结果与仿真结果进行比较，误差为多少？ 答：Vds=1.2V时，仿真如图 由id=1/2unCoxw/l(VGS-VTH)^2可得到id=2.99mA 误差为0.19mA. 二、共源级放大器设计 1. 设计一个电流源做负载的共源级，如下图所示。 要求供电电压 1.8V，电流源提供的偏置电流为 0.35mA，输入管为 NMOS， 要求器件面积尺寸尽可能小，低频增益不小于 30。