西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验五.docx

一、一阶工艺参数的提取 1. Bsim4 模型中的 mos 管共包含多少个参数？ 答：297 2. 找到栅氧化层厚度 toxref，计算单位面积的栅氧化层电容（介质为 SiO2， 计算结果以 fF/μm2为单位）。 答：Cox=11.5fFd/um^2 3. 低压 NMOS（cell name 为 nmos2，model name 为 nch）尺寸为 10μ/0.18μ， 漏源电压为1.8V，在栅源电压分别为1V和1.5V时仿真出器件的漏电流。 在此两组数据的基础上根据长沟道模型计算出 unCox(W/L)及 VTHN 答：栅源电压为1V时，如图 栅源电压为1.5V时，如图 由公式id=1/2unCoxw/l(VGS-VTH)^2可以得到： VTH=1.2V 4. 根据第 3 问得到的参数，在漏源电压为 1.8V，栅源电压为 1.2V 时重新计 算漏电流的大小。将此结果与仿真结果进行比较，误差为多少？ 答：Vds=1.2V时，仿真如图 由id=1/2unCoxw/l(VGS-VTH)^2可得到id=2.99mA 误差为0.19mA. 二、共源级放大器设计 1. 设计一个电流源做负载的共源级，如下图所示。 要求供电电压 1.8V，电流源提供的偏置电流为 0.35mA，输入管为 NMOS， 要求器件面积尺寸尽可能小，低频增益不小于 30。