LTSpice使用说明书
2021-12-28 09:29:05 12.45MB LTSpice
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互感元件的SPICE输入语句格式 格式 Kxxxx Lyyyy Lzzzz Value Kxxxx——互感标识,如K230、KB等 Lyyyy、Lzzzz——两个互相耦合的电感名 Value——互感值(0, 1) 例 K43 L3 L4 0.82 KIN LS LIN 0.9 *
2021-12-19 21:42:28 2.04MB ic 微电子
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将Candence中RC的顶层的.V文件转换为SPI文件,可执行LVS等比对操作
2021-12-19 14:20:44 27KB verilog网表转换成spice网表
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主要是讲述如何编译spice客户端,官网上讲的太粗,并且有很多注意的地方
2021-12-14 10:34:56 16KB vs2008 spice
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MOSFET一级模型(Level=1) 描述I和V的平方率特性, 它考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应. * KP=µCox本征跨导参数 Cox =ox/Tox单位面积的栅氧化层电容 LO有效沟道长度, L版图栅长, LD沟道横向扩散长度 非饱和区 饱和区
2021-12-14 10:11:24 2.04MB SPICE模型
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第3部分 Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4.part3
2021-12-09 13:51:18 14.92MB Mosfet Models Spice
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官方离线安装包,亲测可用
2021-12-08 09:02:57 361KB rpm
离线安装包,亲测可用
2021-12-06 13:01:32 43KB rpm
离线安装包,亲测可用
2021-12-06 13:01:32 43KB rpm
在这项工作中,我们提出了一个新的忆阻器SPICE模型,该模型考虑了以前已通过实用的忆阻器设备演示的典型突触特征。 我们表明,该模型可以解释在不同刺激下的易失性和非易失性忆阻变化。 然后,我们证明我们的模型能够通过简单的非重叠数字脉冲对来支持典型的STDP。 最后,我们研究了我们的模型模拟突触修饰的活性依赖性动力学的能力,并提出了与生物学结果非常吻合的模拟结果。
2021-12-03 15:57:36 2.17MB 研究论文
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