MOSFET一级模型(Level=-集成电路器件SPICE模型

SPICE模型

MOSFET一级模型(Level=1) 描述I和V的平方率特性, 它考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应. * KP=µCox本征跨导参数 Cox =ox/Tox单位面积的栅氧化层电容 LO有效沟道长度, L版图栅长, LD沟道横向扩散长度非饱和区饱和区

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