DDR4协议前九章内容中文翻译

ZYNQ核心板工程 6层PCB 双DDR颗粒 16G EMCC内存 PS-PL引脚端口全部引出 集成式DCDC转换器 AD工程

DDR控制器 已通过FPGA 验证 大家不要错过哦

lpddr4 jedec 最新协议标准

ddr4标准协议-jdec79-4

内容名称：DDR3（AXI4接口）工程代码 工程环境：Xilinx VIVADO 2018.3 内容概要：使用 Xilinx VIVADO 中的 MIG IP 核，设计了外部读写模块 Verilog 代码，并对读写模块进行封装，封装成一个类似 Block RAM / FIFO 的黑盒子，以便在实际使用中直接调用外部接口。本工程将核心参数（比如数据位宽、DDR 突发长度、数据量大小等）设置成 parameter，便于读者根据自身项目需求进行调整。本工程经过 FPGA 上板实测，工程建立与代码实现的原理已在博客主页进行讲解，以便于读者理解。 适合人群：FPGA（VIVADO）使用者，掌握 Verilog。 阅读建议：结合主页博客讲解进行阅读。

内容名称：DDR3（APP/Naive 接口）工程代码 工程环境：Xilinx VIVADO 2018.3 内容概要：使用 Xilinx VIVADO 中的 MIG IP 核，读写位宽设置为 128 比特，并设计了外部读写模块 Verilog 代码，直接对 Xilinx 定义的 APP 接口进行操作。本工程已经过 Testbench 测试无误，并已将仿真所需的头文件 ddr3_model_parameters.vh 和 DDR3 仿真模块文件 ddr3_model.sv 添加进工程中，读者下载后能直接进行仿真。本工程的建立、代码实现原理、仿真测试讲解等已在博客主页文章中进行展示，以便于读者理解。 适合人群：FPGA（VIVADO）使用者，掌握 Verilog。 阅读建议：结合主页博客讲解进行阅读。

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DDR SDRAM控制器参考设计VHDL代码

1、差分时钟　　差分时钟是DDR的一个非常重要的设计，是对触发时钟进行校准，主要原因是DDR数据的双沿采样。由于数据是在时钟的上下沿触发，造成传输周期缩短了一半，因此必须要保证传输周期的稳定以确保数据的正确传输，这就对CK的上下沿间距有了  的控制的要求。一般说来，因为温度、电阻性能的改变等原因，CK上下沿间距可能发生变化，此时与其反相的CK#就起到纠正的作用，因为，CK上升沿快下降沿慢，CK#则是上升沿慢下降沿快。也就是，与CK反相的CK#保证了触发时机的准确性。　　2、数据选取脉冲（DQS）　　DQS是DDRSDRAM中的另一项关键技术，它的功能是用来在一个时钟周期内准确的区分出每个传输周