无线通讯市场的趋势一直朝向低成本、低消耗功率、小体积等目标。短距离装置产品(Short-Range Devices )更在无线传感器网络(sensor network) 概念的推波助澜下，带动了射频芯片(RF IC)的需求量大增，射频收发器 (TRX)要达到低功耗设计，低电压工作是必要条件，然而，电路的效能与工作电压有关，在兼顾到效能与低功耗之间，是一个很大的挑战。近年来，RF IC之制作技术日新月异。高速、低功率组件更是众所瞩目之焦点，目前0.13um RF CMOS工艺的晶体管，fT 值可达到60 GHz，这表示CMOS晶体管有足够的能力来处理高频信号，所以产业界的主流几乎以RF CMOS

给出一低功耗、低温度系数的电压基准源电路的设计。其特点是利用工作在弱反型区晶体管的特性,该电压基准源采用CSMC 0.5μm,两层POLY,一层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0.036 75 mm2。测试结果表明:其最大工作电流不超过380 nA;在2.5~6 V工作电压下,线性调整率为0.025%;4 V输入电压;20~100℃范围内,平均温度系数为64 ppm/℃。以更小的面积,更低的功耗实现了电压基准源的性能。

大部分的ESD电流来自电路外部，因此ESD保护电路一般设计在PAD旁，I/O电路内部。典型的I/O电路由输出驱动和输入接收器两部分组成。ESD 通过PAD导入芯片内部，因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路，将ESD电流引入电压线，再由电压线分布到芯片各个管脚，降低ESD的影响。

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半导体process工艺每一步详细流程以及图示，能直观的了解实际制作工艺步骤

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PIC16F882/883/884/886/887设备包含在本数据表中。PIC16F882/883/886设备有28针PDIP、SOIC、SSOP和QFN封装。PIC16F884/887有40针PDIP和44针QFN和TQFP封装。图1-1显示PIC16F882/883/886设备的框图，图1-2显示PIC16F884/887设备。表1-1和表1-2显示了相应的引脚说明。

本节通过一个 5.5GHz 低噪声放大器来讨论利用 Cadence IC 来进行低噪声放 大器原理图设计、仿真参数设置、版图绘制等基本方法和流程。 低噪声放大器的设计指标如下：  频率： 5.5GHz  增益： >15dB  噪声系数： <1.5dB  电压： 1.2V 本例选用 65nm CMOS 工艺来设计。