完整英文电子版JEDEC JESD22-B112B :2018 Package Warpage Measurement of Surface-Mount Integrated Circuits at Elevated Temperature(高温下的表面贴装集成电路的封装翘曲测量)。本测试方法的目的是测量集成电路封装体在表面贴装焊接操作期间所经历的热条件范围内的均匀平整度的偏差。
2021-05-29 11:01:54 1.48MB JEDEC JESD22-B112B 高温 集成电路
晶圆级芯片级封装由于其低成本和小尺寸因素而成为移动设备中使用的芯片封装形式的主流。 由铜-PI复合材料组成的再分布层通常会导致严重的晶圆翘曲,并且在加热过程中铜的塑性变形也起着重要的作用。 为了减少由铜层引起的晶片翘曲,提出了将铜厚膜/ Si复合材料冷却至极低温度(-196℃,通过液氮)的方法,并且在该过程之后,减小了翘曲。对于钝化的铜膜和空白的铜膜,分别降低了65%和93.5%。 根据测量结果和基于线性温度相关扩散能Q的模块,推导出低于环境温度的热力学响应。在初始加热过程中检测到清晰的线性应力恢复,这表明在取出样品后不久便出现了明显的应力松弛。液氮。
2021-03-08 20:06:00 914KB reduction of wafer warpage;
1
由于重新分配层中所用材料的多样性以及变形过程中本构模型的复杂性,采用晶片级封装(WLP)时,晶片翘曲正成为一个严重的问题。 大多数研究集中在WLP中使用的有机材料(例如PI和环氧树脂),并试图通过数值模拟或调整制造Craft.io来减少晶圆翘曲。 然而,铜痕迹层对晶片翘曲的影响被认为是显着的,通常被忽略。 本文研究了采用不同参数电镀的四套铜膜的微观结构,并现场测量了铜层引入的晶圆翘曲。 然后,建立了塑性应变率,薄膜应力和温度之间的数学关系。 最后揭示了微观结构与翘曲演变之间的详细关系,并提出了减少铜层引入的晶片翘曲的方法。
2021-03-08 20:05:31 1.25MB 研究论文
1
激光选区熔化(SLM)成型零件过程中常出现零件的翘曲变形,这与零件支撑的添加有关。因此,有必要对SLM成型零件支撑添加方式进行研究。通过对不同支撑结构SLM成型零件的成型效果进行研究,发现在相同支撑参数条件下,支撑片分割未倾斜支撑在成型零件时具有较好的成型效果;零件使用的支撑高度越高,零件越容易翘曲。通过优化支撑结构,发现采用分块0°倾斜导热支撑可以有效地减小零件的翘曲变形。这为SLM成型高精度零件提供了参考。
2021-02-07 12:05:57 11.64MB 激光技术 激光选区 支撑结构 翘曲变形
1