冷却至极低温度下晶圆翘曲演变的研究

reduction of wafer warpage;

晶圆级芯片级封装由于其低成本和小尺寸因素而成为移动设备中使用的芯片封装形式的主流。由铜-PI复合材料组成的再分布层通常会导致严重的晶圆翘曲，并且在加热过程中铜的塑性变形也起着重要的作用。为了减少由铜层引起的晶片翘曲，提出了将铜厚膜/ Si复合材料冷却至极低温度（-196℃，通过液氮）的方法，并且在该过程之后，减小了翘曲。对于钝化的铜膜和空白的铜膜，分别降低了65％和93.5％。根据测量结果和基于线性温度相关扩散能Q的模块，推导出低于环境温度的热力学响应。在初始加热过程中检测到清晰的线性应力恢复，这表明在取出样品后不久便出现了明显的应力松弛。液氮。

文件下载

评论信息

其他资源

免责申明

【只为小站】的资源来自网友分享，仅供学习研究，请务必在下载后24小时内给予删除，不得用于其他任何用途，否则后果自负。基于互联网的特殊性，【只为小站】无法对用户传输的作品、信息、内容的权属或合法性、合规性、真实性、科学性、完整权、有效性等进行实质审查；无论【只为小站】经营者是否已进行审查，用户均应自行承担因其传输的作品、信息、内容而可能或已经产生的侵权或权属纠纷等法律责任。
本站所有资源不代表本站的观点或立场，基于网友分享，根据中国法律《信息网络传播权保护条例》第二十二条之规定，若资源存在侵权或相关问题请联系本站客服人员，zhiweidada#qq.com，请把#换成@，本站将给予最大的支持与配合，做到及时反馈和处理。关于更多版权及免责申明参见版权及免责申明

冷却至极低温度下晶圆翘曲演变的研究

文件下载

评论信息

其他资源

免责申明

个人信息

相关资源标签

热门下载

最新下载