该程序移植注意事项:1.注意时钟的配置 2.PRM文件的配置
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FLASH时钟配置:
文件“S08_Flash.h”中 “#define BUS_CLOCK 20000000”这句要根据自己所用的总线频率设定
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PRM文件配置注意如下:
SEGMENTS /* Here all RAM/ROM areas of the device are listed. Used in PLACEMENT below. */
Z_RAM = READ_WRITE 0x0070 TO 0x00FF;
RAM = READ_WRITE 0x0170 TO 0x086F;
ROM = READ_ONLY 0x18D0 TO 0xFFAF;
ROM1 = READ_ONLY 0x0870 TO 0x17FF;
ROM2 = READ_ONLY 0xFFC0 TO 0xFFC5;
FLASH_TO_RAM = READ_ONLY 0x1860 TO 0x18CF RELOCATE_TO 0x0100;//!!!
/* INTVECTS = READ_ONLY 0xFFC6 TO 0xFFFF; Reserved for Interrupt Vectors */
END
//注:RAM地址0x0100 to 0x016F预留,用于存放擦写FLASH的程序;
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在移植时由于新建工程所以经常忘记下面这3段的调整
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Z_RAM = READ_WRITE 0x0070 TO 0x00FF;
RAM = READ_WRITE 0x0170 TO 0x086F;
2
ROM = READ_ONLY 0x18D0 TO 0xFFAF;
ROM1 = READ_ONLY 0x0870 TO 0x17FF;
FLASH_TO_RAM = READ_ONLY 0x1860 TO 0x18CF RELOCATE_TO 0x0100;
3
FLASH_ROUTINES INTO FLASH_TO_RAM;
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在移植过程中有可能出现下面的编译报错:
Link Error:L1102 Out allocation space in segment FLASH_TO_RAM at address 0xXXXX
这是因为
FLASH_TO_RAM = READ_ONLY 0x1860 TO 0x18CF RELOCATE_TO 0x0100;
这里分配的空间不够,适当扩大就可以了
注:这个例程的缺点在于直接分配了RAM给擦写FLASH的程序,使这写RAM大部分时间浪费掉而不能用于其他用途
参考文献中介绍了一种较好的实现方式。
参考文献:
“在HCS08微控制器上使用FLASH存储器模拟EEPROM”和
“HCS08系列单片机FLASH模拟EEPROM的应用”(请自行在网上搜所这些文档)
免责声明:
这段程序并非本人所写,也是摘自别处。
这段程序只是经过MC9S08AC60demo板简单的测试,未经过大批量和长时间的验证,所以若用在产品当中应谨慎,若出现因引用本程序而出现任何问题本人将不承担任何责任!
jjj_sun 2009-3-28 23:24
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