本文介绍了1W射频功率放大器适用于iPod立体声调频发射机

本文提出了功率放大器设计中的两个关键问题，结合GSM直放站功率放大器模块的工程实例，详细分析了该功率放大器模块的设计过程。最后给出该模块样机的实测结果，进一步验证了设计方法的有效性。

摘要：介绍了一种分析同轴线变换器的新方法，建立了理想与通用模型，降低了分析难度和简化了分析过程。通过研究分析，提出了一种同轴变换器与集总元件相结合的匹配电路设计方法，通过优化同轴线和集总元件的参数，实现放大器的最佳性能。利用该方法设计了一款应用于推挽式功率放大电路的匹配电路，仿真结果表明，匹配效率高达99.93%. 　　阻抗变换器和阻抗匹配网络已经成为射频电路以及最大功率传输系统中的基本部件。为了使宽带射频功率放大器的输入、输出达到最佳的功率匹配，匹配电路的设计成为射频功率放大器的重要任务。要实现宽带内的最大功率传输，匹配电路设计非常困难。本文设计的同轴变换器电路就能实现高效率的电路匹配。同

随着大功率射频微波器件的不断推广与发展，传统的小信号S 参数线性理论已经不能满足以微波功率放大器为主的大功率有源器件非线性行为的表征与分析，因此器件非线性行为表征技术就变得尤为重要，而此时Cardiff 模型也就应运而生。本文首先详细给出了Cardiff 模型的完整建立与理论推导过程；然后对以HP_AT41411 为核心射频功率放大器进行了实际测量，并根据实测结果建立Cardiff 行为模型；最后将行为模型仿真得到的结果与实际测量结果作对比，对比结果显示两者吻合较好，这也就验证了Cardiff 模型的正确性及有效性。

通过研究射频功率放大器非线性失真产生的理论原因，着重分析了非线性失真中的三阶互调失真(IMD3)。基于功率晶体管AFT27S006N设计了一款应用于TD-LTE基站的功率放大器。经测试，此功放峰值功率为7 W，PAE为53%，Pout回退到1 W时IMD3达到了-43 dBc，符合设计指标。

源文件，设计指标 频率：2.3-3.5Ghz 带宽：1.2Ghz 饱和增益：8-11.7dB 回退增益：11db 饱和效率：>60% 回退效率：>40% 设计流程参考链接：https://blog.csdn.net/weixin_44584198/article/details/126926427?csdn_share_tail=%7B%22type%22%3A%22blog%22%2C%22rType%22%3A%22article%22%2C%22rId%22%3A%22126926427%22%2C%22source%22%3A%22weixin_44584198%22%7D

ADS使用记录之E类功放设计(中) 具体见博客：https://blog.csdn.net/weixin_44584198/article/details/125180199 频率范围：2.4Ghz 输出功率：10w（40dbm） 回波损耗：小于-15db 漏极效率：大于百分之70

关于Doherty的理论公式推导，回退和辅助功放预开启的关系计算式，以及设计实例，

摘  要：提出了运用模糊神经网络对射频功放电路进行建模的方法， 模糊神经网络是近年来发展起来的一种新型的网络结构， 具有函数逼近器的功能， 文中用MATALAB中自带的自适应神经模糊系统ANFIS 对仿真得到的数据进行建模， 并利用得到的模型计算功放的频谱， 功率压缩曲线， 功率增益曲线， 与ADS仿真的结果进行比较， 取得了较好的结果， 证明了建模方法的有效性。 　　随着通信技术的发展， 射频电路在通信系统中得到了广泛的应用。功率放大器的研究和设计一直是通信发展中的重要课题。近年来， 基于模糊神经网络的射频器件和电路建模的研究取得了巨大的成果， 对大规模集成电路和复杂电路的建模有着巨大的启

射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备。与传统的行波放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要。因此对该课题的研究具有非常重要的意义。 设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs、SiGe BiCMOS和CMOS等。GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOSI艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAs和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合。   本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS、SiGe BiCMOS、GaAs三种工艺。（1）由SMIC0．18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2．4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加效率PAE大于15％，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20％，芯片面积为1．4mm*0．96mm；（2）由IBM5PAE0．35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5．25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3．3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15％，最大饱和输出功率为29．5dBm，芯片面积为1．56mm*1．2mm；（3）由WIN0．15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27～32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率P1dB26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29．9dBm且PAE大子25％，芯片面积为2．76mm*1．15mm。论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程。对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。