显示/光电技术中的集电极形成的PIN光电二极管
在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做PIN光电二极管中的I层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征层的光电二极管［37～38］。
图1 基极－集电极形成的PIN光电二极管
高速双极工艺中N型外延层厚度大约在1 gm左右，这样小的厚度会使得探测器在黄色到红外光谱范围（580～1100 nm）内量子效率较低。而光脉冲信号引起的光生电流的上升时间和下降时间同样会由于薄外延层的原因变得非常短，从而有利于改善响应速度。这种光电二极管的数据传输能力可达到10 Gb/s，但是其在肛8
图1 基极－集电极形成的PIN光电二极管
高速双极工艺中N型外延层厚度大约在1 gm左右，这样小的厚度会使得探测器在黄色到红外光谱范围（580～1100 nm）内量子效率较低。而光脉冲信号引起的光生电流的上升时间和下降时间同样会由于薄外延层的原因变得非常短，从而有利于改善响应速度。这种光电二极管的数据传输能力可达到10 Gb/s，但是其在肛8
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