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2022-11-17 10:52:39 5.93MB 终极内存 sdram读写
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有详细的讲解过程和verilog代码,并实现了在modelsim上仿真
2022-03-01 10:28:26 1.81MB SDRAM 读写控制 存储 verilog
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sdram读写测试实验Cyclone10 FPGA实验Verilog源码Quartus17.1工程文件+文档资料,FPGA为CYCLONE10LP系列中的10CL025YU256C8.SDRAMN HYNIX/海力士公司的 HY57V2562 型号,容量为的 256Mbit,采用了 54 引脚的 TSOP 封装, 数据宽度都为 16 位, 工作电压为 3.3V,完整的Quartus工程文件,可以做为你的学习设计参考。 module top ( input clk, input rst_n, output[1:0] led, output sdram_clk, //sdram clock output sdram_cke, //sdram clock enable output sdram_cs_n, //sdram chip select output sdram_we_n, //sdram write enable output sdram_cas_n, //sdram column address strobe output sdram_ras_n, //sdram row address strobe output[1:0] sdram_dqm, //sdram data enable output[1:0] sdram_ba, //sdram bank address output[12:0] sdram_addr, //sdram address inout[15:0] sdram_dq //sdram data ); parameter MEM_DATA_BITS = 16 ; //external memory user interface data width parameter ADDR_BITS = 24 ; //external memory user interface address width parameter BUSRT_BITS = 10 ; //external memory user interface burst width parameter BURST_SIZE = 128 ; //burst size wire wr_burst_data_req; // from external memory controller,write data request ,before data 1 clock wire wr_burst_finish; // from external memory controller,burst write finish wire rd_burst_finish; // from external memory controller,burst read finish wire rd_burst_req; // to external memory controller,send out a burst read request wire wr_burst_req; // to external memory controller,send out a burst write request wire[BUSRT_BITS - 1:0] rd_burst_len; // to exter
DDR_SDRAM读写时序。。。。。。。。
2021-12-10 14:59:21 353KB DDR SDRAM 读写
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DSP 28335 外部 SDRAM 读写实验
2021-08-05 09:00:54 191KB DSP28335 外部SDRAM读写实验
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封装好的DDR SDRAM读写控制模块,可以直接用的!改为了同步方式,使用简单!基于MIG但是进行了完整封装!本项目采用Verilog编写,本压缩包不仅包括模块的源代码,还附有“使用说明”、“管脚约束文件”、“宏定义文件”,可移植性好,开箱即用。网上关于Xilinx MIG这个控制DDR读写的IP核有不少帖子,但很多实际下板都不好用,本代码经过实际下板验证正常运行。
2021-07-23 18:45:00 393KB FPGA DDR SDRAM Verilog
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SDRAM读写控制的实现与Modelsim仿真
2021-06-13 20:36:16 2.07MB SDRAM Modelsim
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stm32f429通过spi接口从sdram读写大量数据给w25q128
2021-05-24 12:40:27 8.94MB stm32f429 spi w25q128
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基于FPGA设计的sdram读写测试实验Verilog逻辑源码Quartus工程文件+文档说明,DRAM选用海力士公司的 HY57V2562 型号,容量为的 256Mbit,采用了 54 引脚的 TSOP 封装, 数据宽度都为 16 位, 工作电压为 3.3V,并丏采用同步接口方式所有的信号都是时钟信号。FPGA型号Cyclone4E系列中的EP4CE6F17C8,Quartus版本17.1。 timescale 1ps/1ps module top ( input clk, input rst_n, output[1:0] led, output sdram_clk, //sdram clock output sdram_cke, //sdram clock enable output sdram_cs_n, //sdram chip select output sdram_we_n, //sdram write enable output sdram_cas_n, //sdram column address strobe output sdram_ras_n, //sdram row address strobe output[1:0] sdram_dqm, //sdram data enable output[1:0] sdram_ba, //sdram bank address output[12:0] sdram_addr, //sdram address inout[15:0] sdram_dq //sdram data ); parameter MEM_DATA_BITS = 16 ; //external memory user interface data width parameter ADDR_BITS = 24 ; //external memory user interface address width parameter BUSRT_BITS = 10 ; //external memory user interface burst width parameter BURST_SIZE = 128 ; //burst size wire wr_burst_data_req; // from external memory controller,write data request ,before data 1 clock wire wr_burst_finish; // from external memory controller,burst write finish wire rd_burst_finish; // from external memory controller,burst read finish wire rd_burst_req; // to external memory controller,send out a burst read request wire wr_burst_req; // to external memory controller,send out a burst write request wire[BUSRT_BITS - 1:0] rd_burst_len; // to e
1. 本实例用于控制开发板上面的SDRAM完成读写功能; 先向SDRAM里面写数据,然后再将数据读出来做比较,如果不匹配就通过LED变亮显示出来,如果一致,LED就不亮。 2. part1目录是使用Modelsim仿真的工程; 3. part2目录是在开发版上面验证的工程; 2.1. part1_32目录是4m32SDRAM的仿真工程; 2.2. part1_16目录是4m16SDRAM的仿真工程; \model文件夹里面是仿真模型; \rtl文件夹里面是源文件; \sim文件夹里面是仿真工程; \test_bench文件夹里面是测试文件; \wave文件夹里面是仿真波形。 3.1. 工程在\project文件夹里面; 3.2. 源文件和管脚分配在\rtl文件夹里面; 3.3. 下载文件在\download文件夹里面,.mcs为PROM模式下载文件,.bit为JTAG调试下载文件。
2019-12-21 22:18:57 2.07MB FPGA SDRAM 读写 Modelsim仿真
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