半导体process工艺每一步详细流程以及图示,能直观的了解实际制作工艺步骤
2023-08-01 14:05:24 1.97MB 半导体 process CMOS 制造工艺
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模拟CMOS集成电路设计, 毕查德.拉扎维,模拟集成电路设计的经典教材
2023-06-19 10:39:50 16.01MB 模拟CMOS
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CMOS模拟集成电路设计第二版习题答案,ALLEN编的
2023-05-13 16:17:53 4.95MB CMOS 答案 ALLEN
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PIC16F882/883/884/886/887设备包含在本数据表中。PIC16F882/883/886设备有28针PDIP、SOIC、SSOP和QFN封装。PIC16F884/887有40针PDIP和44针QFN和TQFP封装。图1-1显示PIC16F882/883/886设备的框图,图1-2显示PIC16F884/887设备。表1-1和表1-2显示了相应的引脚说明。
2023-04-27 20:53:00 3.87MB PICCMOS微控制器
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本节通过一个 5.5GHz 低噪声放大器来讨论利用 Cadence IC 来进行低噪声放 大器原理图设计、仿真参数设置、版图绘制等基本方法和流程。 低噪声放大器的设计指标如下:  频率: 5.5GHz  增益: >15dB  噪声系数: <1.5dB  电压: 1.2V 本例选用 65nm CMOS 工艺来设计。
2023-04-08 13:53:04 3.15MB cadence LNA
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从调整电路结构着手,介绍了一种可变输出电压的基准源。这种基准电压能够在保持相对较小的电源电压和温度敏感度的情况下实现可调输出电压。
2023-04-07 20:23:23 349KB 电源管理
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一种恒定跨导轨到轨CMOS运算放大器的设计,罗刚,,设计了一种低压、恒定跨导的轨到轨CMOS运算放大器。通过输入信号的共模电平控制两个差分输入级的尾电流源来稳定跨导,输出级采用AB
2023-04-07 16:07:02 413KB 轨到轨
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OV4689是一个高性能的4百万像素camerachip传感器在原生16:9格式设计的下一代监控和安全系统。传感器采用先进的2μmomnibsi-2™像素提供了一流的低光灵敏度和高动态范围(HDR) OV04689OV04689-H67AOmniVision400万像素传感器HDR厂家:OmniVision封装:CSP 香港科威芯电子有限公司海思及sensor系列产品深圳大量现货供应
2023-04-07 10:50:05 1.42MB CMOS  sensor  图像传感器 OV4689
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在超大规模集成电路( VLSI) 设计中, 随着深亚微米技术的应用、芯片集成度的不断提高以及 系统工作频率的加快, 均导致了集成电路的功耗越来越大. 而功耗的增大, 一方面影响了依赖电池 供电的便携式设备的使用, 另一方面芯片的过热也使系统的可靠性降低. 这使得低功耗设计技术日 益成为VLSI 设计者关注的热点. 美国半导体工业联合会在1992 年已确认低功耗技术是当前集成 电路设计的一个紧急技术需要。
2023-04-06 12:49:15 231KB PSPICE 功耗
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放大器设计cmos放大器设计经典中的经典不能不看 圣经宝典
2023-04-05 16:44:00 380KB cmos放大器设计
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