内容概要：本文详细介绍了一款超低温漂带隙基准电路的设计过程，涵盖理论推导、电路设计、调试优化及最终性能评估。该电路采用Cadence 618进行设计，实现了2.4ppm的温度系数、90dB的电源抑制比（PSRR）和14.47uA的工作电流。文中不仅展示了关键代码片段，还分享了调试过程中遇到的问题及解决方案，如温度补偿、运放结构优化、电源噪声抑制等。此外，作者提供了完整的工艺库和虚拟机安装包，便于读者复现设计。 适合人群：从事集成电路设计的专业人士，尤其是对带隙基准电路设计感兴趣的研发人员和技术爱好者。 使用场景及目标：适用于需要高精度、低功耗参考电压的应用场合，如便携式设备、精密测量仪器等。目标是帮助读者掌握带隙基准电路的设计方法，提高电路的稳定性和可靠性。 其他说明：文章中包含了详细的电路设计步骤、仿真设置、调试技巧以及最终的实测数据，有助于读者深入理解带隙基准电路的设计原理和实践要点。同时，提供的工艺库和虚拟机安装包可以降低初学者的学习门槛，加快设计进程。

基于umc18工艺的带隙基准电路设计与实现：含版图与文档，可变输出电压的模拟集成电路设计,带隙基准电路，含版图，含设计文档，可变输出电压 模拟集成电路设计，采用umc18工艺 ,带隙基准电路;含版图;含设计文档;可变输出电压;模拟集成电路设计;UMC18工艺,模拟集成电路设计：可变输出电压的带隙基准电路（含版图与文档） 在现代电子系统设计中，带隙基准电路作为一种重要的模拟电路模块，被广泛应用于各种集成电路中。带隙基准电路的作用是提供一个稳定的电压参考，其输出电压不随温度、工艺和电源电压的变化而变化，保证电路的稳定运行。特别是，当设计要求电路能够在不同的工作环境下保持其性能时，可变输出电压的带隙基准电路设计显得尤为重要。 UMC18工艺是一种成熟的0.18微米半导体制造工艺，它具有较高的集成度和较好的性能。在该工艺下设计带隙基准电路，不仅可以实现高精度的电压参考，还可以在保证电路性能的同时，实现较小的芯片面积和较低的功耗，这对于提高集成电路的性能和降低成本具有重要意义。 在设计可变输出电压的带隙基准电路时，需要对电路结构进行精心的考虑和设计，以确保其能够在不同的工作条件下提供稳定的电压输出。此外，设计过程中还需要考虑版图的设计，因为版图设计对于电路的性能，如温度稳定性、电源抑制比等，有着直接的影响。 在实际设计中，通常需要先通过电路仿真软件对电路进行模拟测试，验证其在不同条件下的性能表现，确保设计满足性能要求。随后，设计师会将电路设计转化为版图设计，并进行相应的物理验证和优化。版图完成后，还需生成相应的文档，详细记录电路设计和版图设计的细节，这些文档对于后续的电路测试、调试和生产都是必不可少的。 本文档集包含了从电路设计到版图设计再到文档编制的整个过程，不仅提供了可变输出电压的带隙基准电路的设计方案，还包含了详细的实现过程和相应的版图以及设计文档，对于希望掌握带隙基准电路设计的工程师或研究人员来说，具有极高的参考价值。 此外，本文档集还涉及了UMC18工艺的特定要求和特点，如何在这一工艺下实现电路设计，包括对工艺库的了解、工艺参数的选取、电路元件的布局和连线等，这些都是设计高性能带隙基准电路时不可忽视的因素。通过本文档集的阅读，读者将能够全面了解基于UMC18工艺的带隙基准电路设计的全过程，以及如何解决在设计过程中可能遇到的各种技术问题。 文档集还提供了相关的图片资源，如电路仿真结果图、版图布局图等，这些图片资料可以直观地展示电路的设计效果和版图的实现情况，有助于读者更好地理解和吸收文档中的信息。整体而言，本文档集是一份极为详细且具有实用价值的设计资料，对于电路设计人员而言，是一份宝贵的参考文献。

内容概要：本文详细介绍了如何在SMIC 180nm工艺下设计一个带隙基准电路，并加入二阶温度补偿以提高电压稳定性。首先阐述了带隙基准电路的基本原理，即利用双极型晶体管的基极-发射极电压（Vbe）和热电压（Vt）的不同温度系数特性，通过适当的电阻比例叠加，生成一个与温度无关的稳定电压。接着，设计了启动电路以确保电路正常启动，并给出了具体的Verilog代码实现。随后，深入探讨了二阶温度补偿的方法，通过引入额外的电路来补偿高阶温度项，从而进一步减少电压漂移。最后，进行了多种仿真实验，包括稳定性分析、直流分析和瞬态分析，验证了电路的功能和性能。 适合人群：从事模拟集成电路设计的研究人员和技术人员，尤其是对带隙基准电路和温度补偿感兴趣的工程师。 使用场景及目标：适用于需要精确电压基准的应用场合，如精密测量仪器、传感器接口电路等。目标是设计出能够在较宽温度范围内保持高度稳定的电压基准电路。 其他说明：文中提供了详细的电路设计步骤和仿真代码，有助于读者理解和复现实验结果。同时，强调了实际应用中需要注意的问题，如工艺偏差和电源噪声的影响。

在A／D和D／A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中，都需要高精度、高稳定性的基准电压源，并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式，其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点，因而得到了广泛的应用。 本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上，采用电流反馈、一级温度补偿等技术，同时在电路中加入启动电路，设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源，并在SMIC 0.25μm CMOS工艺条件下对电路进行了模拟和仿真。 1 带隙基准电压源工作原理与传统

从调整电路结构着手，介绍了一种可变输出电压的基准源。这种基准电压能够在保持相对较小的电源电压和温度敏感度的情况下实现可调输出电压。

带隙基准课件，模拟集成电路的圣经，西工大亲情奉献。

设计了一种结构简单的基于IDO稳压器的带隙基准电压源。由于目前LDO芯片的面积越来越小，所以在传统带隙基准电压源的基础上，对结构做了简化及改进，在简化设计的同时获得了高的性能。该带隙基准使用三极管作为运算放大器的输入，同时省去了多余的等效二极管，并将此结构应用于LDO结构中。对带隙基准的仿真结果表明，在5V的电源下，产生25×10-6/℃温度系数的带隙基准电压。低频时电源抑制比为138dB。将该带隙基准结合缓冲器应用于LDO稳压器中，对LDO的仿真结果表明，负载特性良好，相位裕度为63.3度。线性负载率也

0 引言 　　基准电压是数模混合电路设计中一个不可缺少的参数，而带隙基准电压源又是产生这个电压的最广泛的解决方案。在大量手持设备应用的今天，低功耗的设计已成为现今电路设计的一大趋势。随着CMOS工艺尺寸的下降，数字电路的功耗和面积会显著下降，但电源电压的下降对模拟电路的设计提出新的挑战。传统的带隙基准电压源结构不再适应电源电压的要求，所以，新的低电压设计方案应运而生。本文采用一种低电压带隙基准结构。在TSMC0．13μmCMOS工艺条件下完成，包括核心电路、运算放大器、偏置及启动电路的设计，并用Cadence Spectre对电路进行了仿真验证。 　　1 传统带隙基准电压源的工作原理 　

依据带隙基准原理，采用华润上华（CSMC）0.5 μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，设计了一种用于总线低电压差分信号（Bus Low Voltage Differential Signal，简称BLVDS）的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明，在电源电压VDD=3.3 V，温度T=25℃时，输出基准电压Vref=1.25 V。在温度范围为-45℃～+85℃时，输出电压的温度系数为20 pm/℃，电源电压的抑制比δ（PSRR）=-58.3 dB 。

摘要光子晶体光纤具有很多在传统光纤中无法实现的特性成为近些年光学和光电子学的研究热点对光子晶体光纤十几年的发展历史进行了简要的回顾介绍了光子晶体光纤领域中的一些