本资料包含荷兰光刻机厂商ASML的内部培训资料 ，包括介绍芯片的制作过程以及原理，光刻机的使用说明以及原理等等

20210430-头豹研究院-光刻机行业2021年系列：全球光刻机行业概览.pdf

Asml光刻机及工艺介绍

第八章光刻与刻蚀工艺，第八章光刻与刻蚀工艺课件，第八章光刻与刻蚀工艺PPT

本文叙述采用输出波长为308nm的XeCl准分子激光器进行微米级接触式光刻实验.获得1.5μm的分辨线条,而2.25μm线条已符合集成电路光刻要求.

光刻胶层对未刻蚀导模谐振滤波器的影响

通过对叠层非晶硅薄膜太阳能电池制备工艺流程的讨论, 提出了在玻璃基材上刻划透明导电氧化物(TCO)层, 非晶硅(a-Si∶H)层和背电极层时需注意的关键工艺, 合适的激光器性能参数以及加工参数, 并根据这些理论参数进行了工艺实验的验证。使用输出波长为1064 nm的调Q激光器和输出波长为532 nm的调Q倍频激光器作为光源, 采用自行设计的4路分光聚焦系统, 在1064 nm激光总功率为16 W, 单路功率为4 W; 532 nm激光总功率为3 W, 单路功率为0.75 W, 重复频率为40 kHz, 扫描速度为1.2 m/s的工作参数下得到了较理想的刻线, 同时提高了加工效率, 分析了刻划时

针对光刻对准中双光栅产生的具有多频率的干涉条纹，提出了一种基于二维解析小波变换进行条纹分析的方法。该方法首先通过二维小波变换的多尺度对条纹的多频率进行分析，并通过解析小波基函数将条纹的幅度与相位进行分离，最终通过二维小波脊方法提取出与偏移量相关的相位。在相位提取的同时通过二维小波脊所处点的角度分布来移除封闭条纹处理中常见的相位符号不确定性。数值模拟与实验验证了该方法的可行性并与传统的基于频域的相位分析方法进行了对比分析。结果表明，该方法能在获得所需相位信息的同时较好地滤除掉由光路抖动引起的噪声，具有很强的适应性。

基于GaAs衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60 s。采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10 配比的刻蚀液，得出最佳刻蚀时间为30 s。扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示，孔阵周期为528 nm，刻蚀深度为124 nm，具有完美的表面形貌及良好均匀性和周期性。

半导体光刻蚀工艺