阈值电压VT是MOS晶体管的一个重要的电参数，也是在制造工艺中的重要控制参数。VT的大小以及一致性对电路乃至 集成系统的性能具有决定性的影响。哪些因素将对MOS晶体管的阈值电压值产生影响呢? 阈值电压的数学表达式是： 式中±号对NMOS管取负号，而对PMOS管取正号。 式中 Qox 为栅氧化层中固定正电荷密度； Qss为栅氧化层中可动正电荷密度； Cox为单位面积栅氧化层电容，与栅氧化层厚度tOX成反比； QB为衬底掺杂杂质浓度（耗尽层中电荷 ），NMOS管采用P型硅为衬底，
2022-06-03 19:49:48
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在cadence中，使用mos管和电阻构建了数字电路，但是要对这电路进行功能仿真，仿真的激励也比较复杂，不能使用简单的信号源产生，这个时候，就会考虑使用verilog，编写testbench来进行仿真。
2022-05-17 16:52:13
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当前在ABS设计中普遍采用的电磁阀驱动电路设计均以功率MOSFET为主，辅之以保护回路，隔离措施等以保证其可靠性，还要设计专门的自诊断回路以进行故障检测。虽然在具体电路的设计上分立方案有一定的灵活性，但成本和PCB空间的耗费较高；本方案采用ABS专用集成芯片TLE621O和L9349，集驱动和监测功能于一身，应用于ABS系统中能降低功耗，便于故障检测，提高可靠性，大大改善了整个系统的性能。
2022-05-11 19:48:13
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因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。的驱动常根据和的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、电压、电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。 当与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接与MOS管就显得尤其重要了。 一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求： (1)
2022-05-04 23:43:15
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IGBT的概念是20世纪80年代初期提出的。IGBT具有复杂的集成结构，它的工作频率可以远高于双极晶体管。IGBT已经成为功率半导体器件的主流。在10～100 kHz的中高压大电流的范围内得到广泛应用。IGBT进一步简化了功率器件的驱动电路和减小驱动功率。
2022-05-04 15:04:21
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2主要技术指标
1）交流输入电压AC220V±20％；
2）直流输出电压4～16V可调；
3）输出电流0～40A；
4）输出电压调整率≤1％；
5）纹波电压Upp≤50mV；
6）显示与报警具有电流/电压显示功能及故
2022-05-01 20:47:59
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