阐述了浪涌电压产生的机理，介绍了气体放电管的工作原理、特性参数和在浪涌抑制电路中的应用。

MOS管模型参数表

两本有关mos原理的书籍，虽然说的是早期的mos工艺，但可以借鉴

用到的mos管驱动板。实测可用

关于MOS管的详细原理解释，关于PMOS、NMOS的区别，以及如何利用开关管来设计开关电路。

上海交通大学研究生入学考试用书，呵呵，市场上没有卖的，微电子器件，

Mos.Versions.3.3.2.dmg 让你的鼠标像触摸板一样平滑，以后不会再被鼠标和触摸板同时使用导致的『违和感』头疼了！ 有兴趣就下载试试吧，我觉得很好用~

以AD9218芯片为AD采集芯片、MCF56F8257 DSC为主控制器,设计了一款便携式的Qg测试仪,并给出了设计原理及实验结果.结果表明,该设计能准确测得Qg,同时也为同类参数测量提供参考.

三极管和MOS管都是很常用的电子元器件，两者都可以作为电子开关管使用，而且很多场合两者都是可以互换使用的。三极管和MOS管作为开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该如何选择呢？ 三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。下文以NPN三极管和N沟道MOS管为例，下图为三极管和MOS管控制原理。 ▲NPN三极管与N-MOS管当开关管原理 （1）控制方式不同，三极管是电流型控制元器件，而MOS管是电压控制元器件，三极管导通所需的控制端的输入电压要求较低，一般0.4V~0.6V以上就可以实现三极管导通，只需改变基极限流电阻即可改变基极电流。而MOS管为电压控制，导通所需电压一般4V~10V左右，且达到饱和时所需电压一般6V~10V左右。在控制电压较低的场合一般使用三极管作为开关管，也可以先使用三极管作为缓冲控制MOS管，比如单片机、DSP、powerPC等处理器I/O口电压较低，只有3.3V或2.5V，一般不会直接控制MOS管，电压较低

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