栅漏电流大的MOS器件噪声特性的研究仍是现今研究中活跃的课题。尤其当MOS-FET缩减至直接隧穿尺度(<3nm)时，栅漏电流噪声模型显得尤为重要，并可为MOSFET可靠性表征和器件设计提供依据。文中基于MOSFET栅氧击穿效应和隧穿效应，总结了栅漏电流噪声特性，归纳了4种栅漏电流噪声模型，并对各种模型的特性和局限性进行了分析。

本文采用自偏压电流源电路，去掉运算放大器，利用MOS管电流镜技术补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流，得到了在-20～+80℃温度范围内具有3×10-6？℃的温度系数的基准电压。

下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。

通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论，介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用.

图 13.11 平行多面体的体积 §13.4.1 线性变换 p1q 平移变换. 设 v0 P Rn 为固定的向量, 考虑线性变换 ϕ : Rn Ñ Rn, ϕpxq “ x ` v0. 根据矩形体积的平移不变性容易知道, 如果 A Ă Rn 可求体积, 则 ϕpAq 也 是可求体积的, 并且体积不变, 这可称为体积的平移不变性. p2q 伸缩变换. 设 λi P R p1 ď i ď nq 考虑线性映射 ϕ : Rn Ñ Rn: ϕpx1, x2, ¨ ¨ ¨ , xnq “ pλ1x1, λ2x2, ¨ ¨ ¨ , λnxnq, px1, x2, ¨ ¨ ¨ , xnq P Rn. 矩形 I “ ra1, b1s ˆ ¨ ¨ ¨ ˆ ran, bns 在 ϕ 下的像仍为矩形 (可以退化), 其体积为 vpϕpIqq “ |λ1| ¨ ¨ ¨ |λn|vpIq “ | detpϕq|vpIq. 将矩形 I 换成一般的可求体积的图形, 上述公式仍然成立, 这可从下面的覆盖引 理看出. 引理 13.4.1 (覆盖引理之一). 设 Ω 为 Rn 中可求体积的有界集合, 则任给 ε ą 0, 存在有限个矩形 tIiu 与 tJju, 使得 ď i Ii Ă Ω, ÿ i vpIiq ą vpΩq ´ ε; ď j Jj Ą Ω, ÿ j vpJjq ă vpΩq ` ε, 其中 tIiu 的内部互不相交. 证明. 取包含 Ω 的矩形 I, 由体积的定义, 有 ż I χΩ “ vpΩq, 因此, 任给 ε ą 0, 存在 I 的分割 π “ tIiju, 使得 | ÿ ij χΩpξijqvpIijq ´ vpΩq| ă ε, @ ξij P Iij .

TC4426A/TC4427A/TC4428A 1.5A双高速功率MOSFET驱动器特性 • 峰值输出电流高：1.5A • 输入电源电压工作范围宽： - 4.5V 至 18V • 容性负载驱动能力强：25 ns 内 1000 pF （典型 值） • 延时时间短：30 ns （典型值） • 匹配的上升、下降和延时时间 • 电源电流低： - 对于逻辑 “1”，输入电流：1 mA （典型值） - 对于逻辑“0”，输入电流：100 µA （典型值） • 输出阻抗低：7Ω （典型值） • 锁定保护：能够经受 0.5A 的反向电流 • 输入能够经受住 高 5V 的负输入 • ESD 保护：4 kV • 与 TC426/TC427/TC428 和 TC4426/TC4427/ TC4428 引脚兼容 • 节省空间的 8 引脚 MSOP 和 8 引脚 6x5 DFN 封装 应用 • 开关式电源 • 线路驱动器 • 脉冲变压器驱动 基本说明 TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件是早先 TC4426/ TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进型。除了 匹配的上升和下降时间之外， TC4426A/TC4427A/ TC4428A 器件还具有匹配的上升和下降延时时间。 在额定功率和额定电压范围内的任何条件下，器件具有 很高的锁定阻抗。即便接地引脚上出现高达 5V 的干扰 尖峰（无论是正向还是反向），器件也不会损坏。器件 能够接受强行返回至输出的高达 500 mA 的反向电流 （无论极性如何），不会造成器件损坏或逻辑混乱。全部 引脚都是完全静电放电 （Electrostatic Discharge， ESD）保护的，能够承受至多 4 kV 的静电。 TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET 驱动器，能够 在 30 ns 之内，轻松地对 1000 pF 的门极电容进行充 电 / 放电。在开、关状态下，器件都具有足够低的阻抗， 确保MOSFET的期望状态不受影响，即便发生大的暂态 也不会影响期望状态。 封装类型 注 1：DFN 封装裸露的焊垫是电气绝缘的。 8 引脚 DFN(1) NC IN A GND IN B 2 3 4 5 6 7 81 1 2 3 4 NC 5 6 7 8 OUT A OUT B NC IN A GND IN B VDD TC4426A TC4427A TC4426A TC4427A NC OUT A OUT B VDD TC4426A TC4427A TC4428A NC OUT A OUT B VDD TC4428A TC4428A NC OUT A OUT B VDD TC4426A TC4427A NC OUT A OUT B VDD TC4428A NC OUT A OUT B VDD 8 引脚 MSOP/ PDIP/SOIC 2006 Microchip Technology Inc. DS21423E_CN 第 1 页

本文讨论的短路保护时间是指MOSFET能承受的最长短路时间。在设计短路保护电路时，应考虑硬件及软件的响应时间，以及电流保护的峰值，这些参数都会影响到最终的保护时间。因此，硬件电路设计和软件的编写致关重要。

MOSFET 因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET 的驱动常 根据电源 IC 和 MOSFET 的参数选择合适的电路。下面一起探讨 MOSFET 用于开关电源的驱动电路

mos管测量方法图解 场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET），我们平常简称为MOS管。而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管。 下图为MOS管的标识 我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。不管是N沟道还是P沟道都一样。把芯片放正。从左到右分别为G极D极S极！如下图： 用二极管档对MOS管的测量。首先要短接三只引脚对管子进行放电。 1然后用红表笔接S极。黑表笔接D极。如果测得有500多的数值。说明此管为N沟道。。 2黑笔不动，用红笔去接触G极测得数值为1. 3红笔移回到S极，此时管子应该为导通。 4然后红笔测D极，而黑笔测S极。应该测得数值为1.（这一步时要注意。因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压，所以DS之间还是导通的，不过大概10几秒后才恢复正常。建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先） 5然后红笔不动，黑笔去测G极，数值应该为1 到此我们可以判定此N沟道场管为正常

很不错的MOS选型注意事项，选型相关参数介绍，自己有标注亮点和重点，对于初级工程师来说有可以对mos管选型有更深入的理解，希望大家多多支持，还会继续更新中。