基于GaAs衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60 s。采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10 配比的刻蚀液，得出最佳刻蚀时间为30 s。扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示，孔阵周期为528 nm，刻蚀深度为124 nm，具有完美的表面形貌及良好均匀性和周期性。

We experimentally observe polarization spectroscopy (PS) of the 1S0-3P1 transition of mercury atom gases at 253.7 nm. The PS signal can be observed in all six richly abundant isotopes and the PS signal of six transitions for laser cooling are all clear and of a dispersive line shape.The optimized pu

We demonstrate a diode-pump Tm3+-doped all-fiber laser operating at 1908 nm based on a master oscillator power amplifier (MOPA) configuration. In our work, 152 W of laser output power is generated by a total incident pump power of 434 W at 790 nm, corresponding to the total optical efficiency of 35%

连续光谱的同步辐射光通过入射狭缝照射到光栅单色器后，在出射的单色光λ中总是不可避免的混有基波λ的高级次谐波λn=λ/n。采用自制的3300 1p/mm 金膜自支撑透射光栅和美国IRD公司的AXUVI00G光电二极管探测器，定量研究了光谱辐射标准和计量光束线在5~40 nm波段的高次谐波。研究了Zr，Si，Al和Al/Mg/Al滤片在不同能量范围对高次谐波的抑制作用，给出了实验数据和曲线。在5~40 nm波段，适当的选用Zr，Si，Al和Al/Mg/Al 滤片可有效地抑制高次谐波，在5~34 nm波段将高次谐波与基波的信号强度比例控制在8.06%以内，经量子效率修正后小于3.08%，在35~40波段经探测器量子效率修正后高次谐波比例小于10.00%。

OSEK，是指德国的汽车电子类开放系统和对应接口标准（open systems and the corresponding interfaces for automotive electronics），而VDX则是汽车分布式执行标准（vehicle distributed executive），后者最初是由法国独自发起的，后来加入了OSEK团体。两者的名字都反映出OSEK/VDX的目的是为汽车电子制定标准化接口。该标准完全独立，对目标系统只限制了少量的条件。这样，就可以应用一些简单的处理器替代那些昂贵的解决方案，来控制任务执行，并不需要任何附加条件。事实上，在此基础上，也可以合理使用一些更复杂的CPU，于是该标准便对任何可能的目标平台都没有了限制。 标准定义了三个组件来构成OSEK/VDX标准：实时的操作系统（OSEK OS），通讯子系统（OSEK-COM）和网络管理系统（OSEK-NM）。这样定义的一个好处是方便了各个组件版本的定义，这已在实际应用中得到了体现，例如：现在OSEK-COM（3.0.2）和OSEK-NM（2.5.2）的版本就与OSEK-OS（2.2.1）的版本不同。图1给出了OSEK/VDX的基本结构和各组件间的关系。

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主机厂车型开发阶段， OSEK NM测试是样件接收测试的重要 考察部分。 深圳市弗卡斯数据有限公司基于多年汽车总线测试 的经验积累，提供给客户免费的自动化测试工程供大家使用。

该代码是用matlab编写的，为深度半非负矩阵分解算法，用于人脸识别的。

AUTOSAR网络管理协议规范 清楚的定义了实现方式和状态转换关系